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东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率
中国上海，2024年9月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电
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ROHM开发出实现业界最低※VF与高抗浪涌电流的SiC肖特基势垒二极管“SCS3系列
全球知名半导体制造商ROHM开发出非常适用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路※1的、第3代SiC(SiliconCarbide:碳化硅)肖特基势垒二极管(以下称“SiC-SBD”)“SCS3系列”。本产品采用新结构，不仅继承了量产中的第2代