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  • FinFET发明人:芯片能耗有1000倍的降低空间,将是主要研究方向

    随着集成电路工艺达到7纳米,关于制程工艺的物理极限是否到来,摩尔定律将会走向终止等,开始成为业界热议的话题,甚至引发普通人们的关注。对此,加州伯克利大学教授、FinFET发明人、美国最高科技奖项获得者胡正明提出,集成电路技术的发展远没有终止,微

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    2018-05-30 10:11
  • FinFET技术发明人胡正明:网速有千百倍成长空间

    半导体领域FinFET技术发明人胡正明说,由于半导体技术的突破,网际网路的速度和普及度还有千百倍的成长空间。在中国大陆乌镇举行的第3届世界互联网大会,今年首次举办“世界互联网领先科技成果发布活动”,由海内外网路专家组成的专家征集并评选出15项最

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    2016-11-17 09:17

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