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东芝和日本产业技术综合研究所自旋电子学研究中心的研究小组开发出了可降低电压驱动型非易失性磁内存“电压扭矩MRAM”的写入误码率的新写入方式。将在“IEDM2016”上发表。这种内存与原来的电流驱动型STT-MRAM相比，特点是写入电流小，容易降
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