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东芝发表第二代碳化硅萧特基位障二极体

东芝半导体与储存产品公司，近期发表第二代650V碳化硅(SiC)萧特基位障二极体(SBDs)，该产品提升了公司现行产品的涌浪顺向电流(IFSM)约70%。8个碳化硅萧特基位障二极体的新产品线也即将出货。此款碳化硅萧特基位障二极体，採用东芝第二代

东芝第二代碳化硅萧特基位障二极体

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2017-02-27 09:51

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