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  • 长鑫存储今年年底产能有望超越南亚科技

    据媒体Digitimes今日报道,长鑫存储今年年底产能可达12万片,预计将超越南亚科技,届时市占率将仅次于三大巨头。此外,长鑫17nm工艺即将出世,明年可实现大规模量产。报道称,长鑫存储19nmDRAM工艺已于2020年上半逐步量产并顺利上市,

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    2020-08-26 10:26
  • 长鑫存储从美国Rambus获得大量内存技术专利

    4月27日消息根据长鑫存储微信公众号的消息,日前,长鑫存储技术有限公司与美国半导体公司RambusInc.(以下简称“蓝铂世”)签署专利许可协议。依据此协议,长鑫存储从蓝铂世获得大量动态随机存取存储(以下简称“DRAM”)技术专利的实施许可。长

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    2020-04-28 11:13
  • 长鑫存储与WiLAN子公司达成专利许可和采购协议

    长鑫存储技术有限公司与QuarterhillInc.旗下的Wi-LANInc.今日联合宣布,就原动态随机存取存储芯片(DRAM)制造商奇梦达开发的DRAM专利,长鑫存储与WiLAN全资子公司PolarisInnovationsLimited达成

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    2019-12-06 11:49
  • 合肥长鑫存储DRAM正式投片,新的CEO将上任

    日前,消息称合肥长鑫存储DRAM项目正式投片,启动试产8GbDDR4工程样品。这将是第一个中国自主研发的DRAM芯片。合肥长鑫CEO王宁国今年四月在出席合肥举办的“国家集成电路重大专项走进安徽活动”上表示,合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月

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    2018-07-18 14:50

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