让手机等电子产品速度更快、容量更大。最新消息称,完全自主的32层三维NAND闪存芯片本月将在光谷国家存储器基地量产,这是我国主流芯片中研发制造水平最接近世界一流的高端存储芯片,实现了中国主流存储芯片“零”的突破。更令人欣喜的是,64层三维闪存芯