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Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650V功率GaNFET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaNFET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2kW
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650V功率GaNFET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaNFET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2kW
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