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第四代半导体再突破，我国团队在 8 英寸硅片上制备出高质量氧化镓外延片
3月14日消息，IT之家从西安邮电大学官网获悉，日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。团队负责人陈海峰教授介绍，氧化
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力积电第四代半导体取得突破
今天，晶圆代工厂力积电黄崇仁表示，力积电也是元宇宙概念股，在第四代氧化物半导体材料IGZO(氧化铟镓锌)上取得突破，可生产分辨率超过5000ppi的元宇宙显示驱动芯片。黄崇仁指出，该技术可应用在包括AR/VR等相关产品上，分辨率可提高几倍，是元