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第四代半导体再突破，我国团队在 8 英寸硅片上制备出高质量氧化镓外延片
3月14日消息，IT之家从西安邮电大学官网获悉，日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。团队负责人陈海峰教授介绍，氧化
3月14日消息，IT之家从西安邮电大学官网获悉，日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。团队负责人陈海峰教授介绍，氧化
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