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安森美加速碳化硅创新,助力推进电气化转型
新闻要点最新一代EliteSiCM3eMOSFET能将电气化应用的关断损耗降低多达50%该平台采用经过实际验证的平面架构,以独特方式降低了导通损耗和开关损耗与安森美(onsemi)智能电源产品组合搭配使用时,EliteSiCM3e可以提供更优化
新闻要点最新一代EliteSiCM3eMOSFET能将电气化应用的关断损耗降低多达50%该平台采用经过实际验证的平面架构,以独特方式降低了导通损耗和开关损耗与安森美(onsemi)智能电源产品组合搭配使用时,EliteSiCM3e可以提供更优化
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