科锐RF功率晶体管和MMIC产品输出功率突破10兆瓦

科锐RF功率晶体管和MMIC产品输出功率突破10兆瓦

 科锐公司日前宣布，截至2011年4月，公司的无线射频（RF）业务部门已出货的商用碳化硅衬底氮化镓(GaN-on-SiC)RF功率晶体管和MMIC产品的合计RF输出功率已突破10兆瓦。这一里程碑式成果充分说明了科锐的氮化镓HEMT和氮化镓MMIC技术拥有高兼容性、可靠性和业经证明的优异性能。这10兆瓦中只包括商用RF产品，不包含氮化镓MMIC晶圆代工业务的1.5兆瓦出货量。

  在实现里程碑式出货量的同时，科锐还保持着每10亿器件小时内低于10次的超低计次失效率(FIT率)，这比其它RF功率晶体管技术的标准计次失效率（FIT率）低80%。    

  科锐公司无线射频（RF）总监JimMilligan表示：“我们的碳化硅衬底氮化镓器件累计实地工作时间已经超过14亿小时，其可靠性超过其它高压硅技术或者砷化镓技术，是目前为止国内氮化镓器件供应商已知的累计现场数据中的最大值，其中不仅包含分立晶体管，还包含复杂的多级氮化镓MMIC。这10兆瓦里程碑式的出货量充分证明了科锐的氮化镓技术已被迅速广泛采用，涉及领域不仅包括军事应用，还包括电信基站、宽带测试设备、民用雷达和医疗应用等。如果我们以现在的速度继续向这些新的细分市场扩张，2011年底我们的出货量有望在10兆瓦的基础上再翻一番。”    

  作为美国最大的碳化硅衬底氮化镓RF晶圆处理技术的生产商，科锐已经开发出品类丰富全面的氮化镓HEMT和氮化镓MMIC产品，旨在满足数量不断增加的RF阵列和微波应用对宽波段、高效率和高可靠性的要求。    

  25年来，科锐不断将创造性、突破性的创新成果带到半导体行业，从最早的蓝光LED，到全球首款碳化硅MOSFET，再到业界第一个碳化硅衬底氮化镓MMIC的问世，科锐一直奋战于技术的最前沿。