年度十大关键词盘点之：Nand flash 涨势惊喜

年度十大关键词盘点之：Nand flash 涨势惊喜

       2013年，存储企业赚得盆满钵满！从新鲜出炉的“2013全球半导体销售额排名”看出，存储企业成了2013年全球半导体产业销售额的主要拉动者，三星、英特尔、美光、SK海力士和东芝全球“五大”存储巨头均跻身前十，特别是主营业务集中在存储的海力士和美光增长最为显著。海力士年增44%，增长率全球第一，排名由2012年的第八冲进2013年的第五，美光因2013年7月正式并购尔必达，总体营收也有32%的增长率，排名快速跃升至世界前五。

       从市场需求来看，2013年Nand flash一直处于缺货状态，致使行业价格高居不下。此现象首先得益于闪存巨头“有效控制产出”的智慧获利思维，这部分纯属“人为”因素。其次，快速增长的智能手机、平板电脑和超极本对eMMC、eMCP及SSD的需求暴增，致使产能紧张，爆发出全球式的缺货，将价格推高。再次，在物联网、工控和企业级应用领域，云存储和大数据对服务器应用及存储的效能与速度的提升需求明显，再一次拉高了SSD固态硬盘市场需求量，亦成价格高企的主要推手。下半年价格虽稍有回落，但因SK海力士无锡工厂火灾，再次推动内存价格飙涨超过40%。总体来说，人为+需求+天灾，推动闪存价格一路飙升！

       从全球竞争格局来看，掌握着前端Wafer资源的“五大”存储巨头仍受益最大，并逐渐暴露出垄断趋势，因全球其他存储企业Wafer必须从上述企业购买，五大企业具备绝对的话语权，比如三星近几年明显有控制下游晶圆出货的迹象，这将在未来的市场竞争中，对其他下游企业造成压力。从国内芯片市场来看，集中生产Nand flash芯片的企业屈指可数，仅有BIWIN和江波龙两家企业，因高性价比和本地化服务优势，BIWIN和江波龙在本土市场已经深度扎根，产品集中应用于国内产品的高中低端。受益市场的持续缺货，2013年业绩亦有良好增长，但因前端巨头控制了Wafer的供应，增长幅度仍不及“五大”巨头。

       从技术创新上来看，2013年爆发出的创新点在于“PUP”工艺上面，即将Nand flash芯片跟CPU“背靠背”贴合在一起，在终端产品对设计空间及容量需求逐渐增大的趋势下，单个颗粒的存储量已经达到极限，于是将存储芯片跟CPU叠加的工艺逐渐成为热点，此举有效减少了封装面积，优化了电路的分布，提高了整机的性能，整个内部结构都产生革命性的变化。但目前受制于工艺及设计高难度的限制，此技术仍不成熟，将成为2014年领先存储企业研究的重点。还一亮点是3D-NAND Flash产品在年底初出茅庐，但受制于良率与效能缺陷，量产时间要落到2014年底甚至2015年。在工艺制程方面，2013年仍以20纳米为主，产品比重达到70%以上。

       展望2014年的Nand flash存储行业：eMMC、eMCP和SSD等应用会随着智能手机、平板电脑、超极本和企业PC的出货增加而持续走扬，根据全球市场研究机构TrendForce的数据显示，2014年eMMC出货年成长率高达36%，而SSD能够有效提升笔记本与桌面PC效能的产业趋势十分明显。总体看，闪存企业将持续受益于大数据云存储、工业级/企业级应用及消费类电子的增长带来的业绩，不过对于转进新制程（1X纳米）的产品，恐怕还将产能不足。

       在价格方面，2014年Nand flash将逐渐企稳，上半年会随着海力士1月恢复无锡产能（良品率达到80%），以及传统淡季供过于求的影响，价格有可能呈些许下滑趋势。其次，竞争格局上，位于产业链前端的三星、英特尔、美光、海力士和东芝，仍将处于全球引领和垄断地位，可能持续利用“有效控制产出”的方式来维系获利能力。再次，在PUP工艺上面，英特尔会领先竞争对手取得技术突破，国内公司BIWIN和江波龙也将紧跟这些国际一线公司。最后，在工艺制程的演进上，为促进成本结构再一次优化，2014年各巨头将相继进入1x纳米以下的竞赛。从整体增长情况来看，TrendForce预计，2014年全球NAND Flash产值将达到美金280亿，较2013年成长13.3%，连续两年达成双位数以上的成长。可见，2014年Nand flash仍将是拉动全球半导体产业增长不可或缺的主力，尤其是PUP工艺的突破将带领存储业开启新的篇章。