应用材料中国区总裁:供应链合作是IC企业致胜关键

来源:华强电子网 作者:—— 时间:2014-03-21 09:15

       我国集成电路产业扶持专项计划即将出台,中国半导体业准备好了么?针对中国IC业新政策和IC变革之新思维,国外企业又怎么看?日前,应用材料中国区总裁兼半导体中国区事业部总经理张天豪接受了记者采访,以下是他的观点。

       据市场研究机构Gartner预测,半导体行业2014年将保持中个位数增长,产值将超过3300亿美元。对半导体晶圆制造设备业而言,目前市场对高性能、低功耗的应用处理器以及移动应用的高密度内存芯片的需求日益增加,受其带动,逻辑芯片和内存正处于重要技术过渡的初期。根据我们的最新展望,今年半导体设备的投资预计比2013年(约270亿至300亿美元)增加10-20%,从而满足市场对先进设备的强劲需求。就发展趋势而言,无论是半导体还是显示器产业,材料创新都是性能提升和成本缩减的关键。目前代工业务仍是晶圆制造设备业的重要市场,业者纷纷设立了采用20nm技术的新工厂。预计NAND业务增速将达到40-50%,平面NAND和高画质3D NAND的投资有望增加。在移动DRAM领域,预计先进工艺节点的产能也将提高。而在显示器产业,预计电视销量增速可能落至低个位数,但在移动应用市场,由于屏幕分辨率已成为重要的决胜因素,因此未来低温多晶硅(LTPS)背投高分辨率屏幕的需求有望显著增长。

       对晶圆制造设备产业(WFE)而言,我们认为供应链内的合作是企业决胜的关键。只有通过合作,我们才能更好地满足客户对技术、成本和上市时间等市场要求。在对移动市场领导地位的争夺中,晶体管、连接器和内存产品都经历着重大变革。设备结构和材料工程也日益复杂。随着客户转向使用新技术和新材料,他们正面临着设备性能和良率方面(的挑战。这就需要我们更早、更密切地展开合作,携手开发下一代产品,尽快将新技术应用到大规模量产中。

       移动趋势是科技行业发展的主要动力。日趋复杂的设备结构和材料变革正是推动我们不断创新的动力。目前2D光刻显影向3D材料的转变已成为产业发展的趋势。在晶圆代工厂中,平面氧氮化物材料逐渐向高K金属栅极门匝、直至3D FinFET设备迁移。NAND市场也逐渐从2D平面制程向3D NAND转移。我们相信,下一代设备的性能和良率将在很大程度上取决于精密沉积、材料改性以及精密清除等方面的创新。装置的复杂性也将更专注于集成工艺和界面工程,从而解决产业关键挑战。

       根据摩尔定律,集成电路上的晶体管可无限增加,这也推动我们的客户向7 nm甚至5nm时代发展。移动趋势将继续推动WFE的发展。当产业从28/32nm高k金属栅极门闸电极向16/14nm的FinFET技术过渡,预计半导体产业将实现25-35%的增长。我们在选择性外延、金属栅、CMP、和蚀刻等领域拥有庞大的增长机遇。而从平面NAND过渡到3D NAND(32-64对)期间,预期市场将增长25-35%。

       这些技术变革都将有利于应用材料公司发挥我们在精密材料工程上的优势,为公司创造良好的发展机遇。为了把握这些增长机遇,推动行业发展,我们增加了研发投入,更注重技术创新,建立了新实验室,并引入了众多优秀的管理和工程人才。此外,我们也不断改变业务结构和流程,保证能为客户提供更及时、更高效的差异化解决方案。正是因为这些举措,以及我们与客户间的密切合作和携手共同解决高价值的问题,才使得应用材料公司得以实现可持续增长。

       纵观半导体产业的发展,制造技术越来越复杂导致半导体制造资本密集度更高,在未来5年之内,预计半导体产业将会出现比过去15年更多值得关注的技术转折点,因此,如何实现自身在技术与产品上的优势与突破,同时为客户与全产业创造更大价值进而达到双赢,将是半导体业面临的主要议题。而如何了解客户的关键问题,并能更快与更好的提供解决方案,将是设备供应商在未来的主要挑战。

       中国第十二个五年计划表明将进一步发展本地半导体产业,以拓展中国整体供应链为目标,涵盖从设计、生产到服务于蓬勃发展的国内市场。在中国,应用材料公司始终致力于携手中国半导体产业客户和合作伙伴,坚持创新,强化和深耕技术,不断提升整个行业的技术和发展实力。在未来,应用材料中国公司将继续引领行业发展,利用其精密材料工程上面的创新和专业知识,以及通过将应用材料公司的全球标准及先进流程引入,积极推动中国半导体产业链的可持续发展。

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