控制芯片技术突破　TLC SSD倾巢而出

控制芯片技术突破　TLC SSD倾巢而出

　　三层式储存固态硬碟(TLC SSD)将于2015年大举出笼。慧荣科技发布新一代TLC控制晶片--SM2256，能大幅提升TLC NAND快闪记忆体高达三倍的写入/抹除次数(P/E Cycle)，解决其过去为人诟病的使用寿命和可靠度不佳等问题，可望刺激品牌厂加速推出高性价比的消费性TLC SSD。

　　慧荣科技产品企划部专案副理陈敏豪表示，相较于单层式储存(SLC)、多层式储存(MLC)颗粒，TLC NAND拥有显着的价格优势，单单比较TLC与MCL NAND市价，两者价差波动约介于20～30%之间;而随着制程进一步微缩，TLC NAND成本未来仍有下滑空间。

　　陈敏豪指出，虽然TLC颗粒具成本优势，但使用寿命、速度、可靠性和错误率等方面却为人诟病，须以先进的控制晶片及大量的预留空间(Over-provisioning)来进行纠错及校准;也因此，目前仅有三星(Samsung)、新帝(SanDisk)两家品牌厂在消费零售市场先后推出TLC固态硬碟。

　　为解决上述困境，慧荣科技推出新一代TLC NAND控制晶片--SM2256，提升TLC NAND三倍的写入/抹除次数，进而延长其使用寿命，使TLC固态硬碟更能兼具成本及效能优势。

　　陈敏豪解释，NAND快闪记忆体的控制晶片向来系采用BCH(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem)编码进行纠错，而慧荣科技则转而选用低密度奇偶修正码(Low Density Parity Check Code, LDPC)及RAID修正方式，研发出独有的“NANDXtend”错误修正技术。

　　据悉，“NANDXtend”技术可高速平行解码且即时精准修正错误，并依纠错的难易度来分层开启修正机制，有效增加TLC NAND的写入/抹除次数，解开TLC NAND长期以来读写次数不理想的桎梏。

　　陈敏豪透露，目前SM2256已通过三家主要NAND快闪记忆体供应商--东芝(Toshiba)、三星、SK Hynix的测试，而采用慧荣科技控制晶片的TLC固态硬碟最快2015年第一季即可上市。

　　陈敏豪预测，2015年是TLC固态硬碟起飞元年，未来将会有许多厂商推出TLC固态硬碟，大举抢攻消费零售市场，进而瓜分三星、SanDisk市占。值得注意的是，除了消费零售市场外，个人电脑原始设备制造商(OEM)也正密切关注TLC固态硬碟应用于桌上型电脑、笔记型电脑的可行性;因此，未来TLC固态硬碟更可望进攻电脑市场，挑战MLC固态硬碟的主流地位。

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