正负半周两个可控硅触发电路原理图

正负半周两个可控硅触发电路原理图

正负半周两个可控硅触发电路原理图

电路主要由一个同步变压套器B1 、两个脉冲变压器B2 、B3 ,两个双电压比较器LM393 (或一个四电压比
较器LM339) 和两个三极管( T1 、T2) 组成,如图1 所示.

同步变压器B1 副边的同名端和异名端分别接电压比较器IC1 、IC2 的同相输入端. 副边的中性点接电
压比较器IC1 、IC2 反相输入端,电压如图2 (Va) . 因而,两电压比较器分别在正、负半周输入正向电压,电压
比较器LM393的特性是,当V+ - V- > 0. 5mv 时,输出端即为高电平,因此,每当电源电压过零后以微秒计
的时间内,输出端电位由低电平跃变为高电平. 两电压比较器IC1 、IC2 的输出端分别经电阻R1 、R2 与电容
器C1 、C2 相联接,并通过R3 、R4 与9V 电源相联接,当b 点电位为低电平时,电容器C1 通过R1 和电压比较
器IC1 放电(LM393可吸入< 16mA 的电流) . 当b 点电位为高电平时,电源通过R3 对电容C1 充电. b 点b′
2004 年9 月
第19 卷第5 期　　　　　　　　　　
渭南师范学院学报
Journal of Weinan Teachers College
　　　　　　　　　　
Sept . 2004
Vol. 19 　No. 5
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点和C1 上的电压如图2 (Vb) 、(Vc)

电容器C1 与电压比较器IC3 的正端相接、IC3 的负端与随温度变化的电压控制器相接. 当电容器C1
上的电压低于温控电压Vt 时, IC3 输出低电平,当电容器C1 上的电压高于温控电压Vt 时, IC3 输出高电
平. 即IC3 输出的矩形波宽度随温度变化而变化,温度越高矩形波越窄,或说温度越高IC3 输出高电平时
间越推迟,矩形波如图2 (Vd) .
电压比较器IC3 输出端通过R7 接三极管T1 的基极,当IC3 输出为低电平时,三极管的基极电位不能
使三极管导通,T1 处于截止状态,当IC3 输出为高电平时,T1 的基极电位提高,使T1 由截止状态变为导通
状态,Ve 波形如图2 (Ve) . T1 导通后,电容器C3 通过T1 集电极放电;并与经R8 的电源电流共同组成集电
极一发射极电流,这一电流通过脉冲变压器B2 初级,在B2 次级产生感应电势,Vg 波形如图2 (Vg) . 此感应
电势使可控硅触发导通,达到控温目的. 同理,在电源负半周三极管T2 导通,电容器C4 通过T2 集电极放
电;并与经R11的电源电流共同组成集电极一发射极电流,这一电流通过脉冲变压器B3 初级,在B3 次级产
生感应电势,从而可达到与B2 工作相同的效果.