三菱电机将砸约51亿元盖新厂!增产 SiC 功率半导体

来源:科技新报 作者: 时间:2023-03-16 15:18

三菱电机 SiC 功率半导体

因来自电动车(EV)的需求旺,日本三菱电机(Mitsubishi Electric)将砸千亿日圆、盖新厂,增产碳化硅(SiC)功率半导体,对功率半导体事业的设备投资计划将倍增。

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三菱电机3月14日宣布,将增产SiC功率半导体,主因EV用需求旺,带动市场预估将呈现急速成长。三菱电机将投资约1,000亿日圆,在熊本县菊池市的现有工厂厂区内兴建新厂房,该座新厂将导入8吋SiC晶圆产线,预计2026年4月启用生产,三菱电机并将扩增位于熊本县合志市的工厂的6吋晶圆产能。

日媒指出,藉由上述增产投资,2026年度时,三菱电机SiC晶圆产能将扩增至2022年度的约5倍水平。

三菱电机指出,包含上述投资计算,2021-2025年度的5年期间,该公司对功率半导体事业的设备投资计划合计将达2,600亿日圆,投资规模将较原先计划值(1,300亿日圆)倍增。

半导体制造工程可大致分为在硅晶圆上形成电路的「前段制程」和进行组装、封测等的「后段制程」,而三菱电机上述位于熊本县的2座据点皆属于「前段制程」据点。在「后段制程」部分,三菱电机计划投资约100亿日圆在「Power Device Manufacturer(位于福冈市)」内兴建新厂房。

日媒报导,2021年三菱电机SiC功率半导体全球市占率排第6,在日厂中、仅次于位居第四位的Rohm。富士电机、东芝也挤进全球前10大之列,龙头厂为瑞士STMicroelectronics。



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