顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET

顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET

中国上海，2026年7月9日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车（xEV）的车载充电器（OBC）和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。

新产品通过采用ROHM自有的沟槽设计，确保了6.66mm业界先进水平的爬电距离*¹。新产品不仅与市场上广泛普及的封装兼容，同时，还实现了污染等级2级*²环境下1200V交流峰值电压耐受能力。因此，在高耐压应用中可实现安全的绝缘设计，有助于降低安装成本并提高可靠性。

另外，通过搭载ROHM第4代SiC MOSFET，还实现了低导通电阻和高速开关特性。这使得功率转换时的开关损耗大幅降低，有助于应用产品进一步提高效率并更加节能。

新产品已于2026年6月开始量产（样品价格：5500日元/个，不含税），且同时开始线上销售。此外，ROHM官网还提供仿真模型，助力客户快速进行电路评估。

未来，ROHM将通过进一步扩充SiC MOSFET产品阵容，为电子设备实现更高性能、更小体积与更高可靠性提供支持。

＜开发背景＞

在电动汽车（xEV）中，为了提高充电速度并延长续航里程，除了主驱逆变器外，SiC器件在车载充电器（OBC）和电动压缩机等的功率转换电路中的应用也在不断扩大。另外，在工业设备领域，作为有助于高性能服务器电源和光伏逆变器等设备高效工作的器件，SiC器件的应用也持续增长。传统的SiC器件为了在大功率运行时有效散热，主要采用的是散热性能优异的插装型封装。但是，插装型封装不仅涉及手工安装工序，还存在因封装形状限制而难以实现薄型化的问题。对此，近年来可自动安装的表贴型SiC器件开始普及。新产品采用表贴型封装，却实现了与TO-247等插装型封装同等级别的散热性能。

＜应用示例＞

·车载设备：车载充电器（OBC）、电动压缩机等

·工业设备：光伏逆变器、服务器电源等

＜关于“EcoSiC^TM”品牌＞

EcoSiC^TM是采用了因性能优于硅（Si）而在功率元器件领域备受关注的碳化硅（SiC）的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。

EcoSiC^TM是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

＜术语解说＞

*1） 爬电距离

两个导体之间沿绝缘表面测得的最短距离。在半导体设计中，为了防止触电、漏电、半导体产品短路，需要采取确保爬电距离和电气间隙的绝缘对策。

*2） 污染等级2级

污染等级2级相当于家庭和办公室等常见的环境，即仅存在干燥的非导电污染物的状态。污染等级是确定元器件的电气间隙和爬电距离时会产生影响的环境等级，根据污染物质的有无、数量和状态分为1～4级。

（完）

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