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  • 安森美扩充1200V沟槽型场截止IGBT器件

    【摘要】:安森美24日扩充NGBTxx系列1,200伏(V)沟槽型场截止(FS)绝缘门双极晶体管(IGBT)器件,推出9款新的高能效方案。这些新器件提升系统总体开关能效,降低功率耗散,且提升系统可靠性。这些最新IGBT器件增添至安森美半导体现有

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    2012-10-26 09:48

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