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Vishay推出业内最小-20V P沟道Gen III MOSFET
日前，Vishay宣布，推出业界首款采用2.4mmx2.0mmx0.4mmCSPMICROFOOT?封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET?P沟道GenIII功率MOSFET。VishaySiliconixSi
2013-12-05 10:07