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业内最小 Vishay TrenchFET P沟道Gen III功率MOSFET
2013年12月5日，VishayIntertechnology,Inc宣布，推出业界首款采用2.4mmx2.0mmx0.4mmCSPMICROFOOT封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFETP沟道GenIII功
2013-12-30 09:58 -
Vishay推新款100V N沟道TrenchFET功率MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款100VN沟道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET?应用到更小的封装尺寸上。SiB456DK和
2013-01-14 09:33 -
Vishay新款N沟道TrenchFET功率MOSFET通过AEC-Q101认证
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的40VN沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。该器件特别针对“重型”汽车应用，是Vishay采用兼具低电阻和高
2012-12-10 09:01 -
Vishay发布首款芯片级P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET：Si8499DB
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICROFOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET——Si8499DB。在1.5×1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET
2010-04-28 09:42