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Diodes封装MOSFET有助于实现低温操作
Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装MOSFET。该器件的结点至环境热阻（Rthj-a）为130oC/W，能在持续状态下支持高达1W的功率耗散，相比于占位面积相同、Rthi-a性能为280oC/W的SOT723封装，能实现更低
2012-01-05 10:12
Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装MOSFET。该器件的结点至环境热阻（Rthj-a）为130oC/W，能在持续状态下支持高达1W的功率耗散，相比于占位面积相同、Rthi-a性能为280oC/W的SOT723封装，能实现更低
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