东芝发表第二代碳化硅萧特基位障二极体

东芝发表第二代碳化硅萧特基位障二极体

　　东芝半导体与储存产品公司，近期发表第二代650V碳化硅(SiC)萧特基位障二极体(SBDs)，该产品提升了公司现行产品的涌浪顺向电流(IFSM)约70%。8个碳化硅萧特基位障二极体的新产品线也即将出货。

　　此款碳化硅萧特基位障二极体，採用东芝第二代碳化硅的製程製造，相较第一代产品，提升了70%的涌浪顺向电流，且同时降低切换损失的RON*Qc指数约30%，使其适合用于高效率的功率因素修正方案。

　　新产品有4A、 6A、 8A和10A四种额定电流，用非绝缘的TO-220-2L或绝缘的TO-220F-2L包装。这些产品有助于改善4K大银幕液晶电视、投影机和多功能印表机的电源供应器效率，以及电信基地台和PC伺服器的工业设备。

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