三星、海力士研发EUV工艺的DRAM芯片，内存成本更低
与台积电在7nm节点抢先完成布局不同，三星在7nm节点要慢了一些，上周才宣布了7nm EUV工艺正式量产，很大一个原因就是三星在7nm节点上直接上了EUV光刻工艺，没有使用过渡工艺，这要比英特尔、台积电都激进得多。除了逻辑工艺升级到EUV工艺，三星在未来的1Ynm工艺的DRAM内存芯片生产上也在研究EUV工艺，而他们也不是唯一的一家，SK Hynix也被曝研发EUV工艺的DRAM芯片，只有美光在这方面比较保守。
不论是处理器芯片还是存储芯片，现在的半导体生产几乎都离不开光刻机，上不上EUV光刻工艺主要是看需求及成本，逻辑芯片工艺对EUV工艺是最有需求的，7nm被公认为大量应用EUV工艺的节点，越往下就越依赖EUV工艺。
DRAM内存对EUV工艺需求并不迫切，毕竟目前最先进的DRAM工艺依然在18nm以上，所以美光之前表态即使到了1α及1β工艺工艺节点，也没有必要使用EUV工艺。
美光不用不代表其他DRAM厂商不用，三星对EUV工艺是最激进的，此前被爆在1Ynm节点就会尝试EUV光刻工艺，最快在2020年量产EUV工艺的1Ynm内存芯片。
来自韩国媒体的消息，除了三星之外，SK Hynix在韩国利川市新建DRAM工厂，也在研发EUV工艺的DRAM内存芯片。
使用EUV工艺的好处是可以提高光刻精度，减小线宽，降低内存单位容量成本，不过EUV工艺目前还不够成熟，产能不如普通的光刻机，这还需要时间改进。
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