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  • 威刚董事长陈立白:DRAM将缺货一整年

    内存模组大厂威刚(3260)董事长陈立白指出,先前虽预期今年DRAM可能会缺到第三季,但现在预期今年DRAM仍会缺货一整年。陈立白指出,市场对于三星的扩产动作有所疑虑,但三星对于扩产仍十分小心谨慎,所以DRAM市场今年已大势底定,可说一整年都是

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    2018-01-22 10:21
  • 三星量产10nm DDR4内存芯片 半导体“龙头”地位再加固

    据韩联社北京时间12月20日报道,三星电子宣布已开始通过第二代10纳米级制程工艺量产DRAM内存芯片。之前2016年2月,三星已使用第一代10纳米级工艺生产出了8GBDDR4芯片。三星在内存制造上再一次领先世界,这毫无疑问将巩固三星在内存市场上

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    2018-01-19 09:28
  • 利基型及服务器DRAM上半年缺货问题难缓解解 南亚科华邦电将获利

    人工智能(AI)走向终端的边缘运算(edgecomputing)成为今年市场新主流,智能手机搭载AI运算核心将是今年重头戏,但为了因应手机进行AI边缘运算功能,手机搭载DRAM容量大跃进,业界传出苹果今年下半年推出的新iPhone将搭载4GB行

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    2018-01-16 09:56
  • 存储器夯,Gartner 大幅上修 2018 年全球芯片销售预估

    Gartner首席研究分析师BenLee15日以存储器市况优异为由,将2018年全球半导体销售额预估值调高236亿美元至4,510亿美元,相当于较2017年成长7.5%。在此之前,Gartner预估今年增幅为4%。Lee表示,在上述上修金额当中

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    2018-01-16 09:16
  • 订单递延 创见上月营收衰退

    创见资讯2017年12月合并营收13.4亿元(新台币,下同),与11月相比减少23%,较前年同期减23.26%。2017年全年营收209.64亿元,较2016年减少5.16%。回顾12月,DRAM价格持续看涨,客户因预期心态已提前备货,再加上受

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    2018-01-12 10:00
  • DRAM市况热 威刚去年营收年增38.8% 近4年新高

    存储器模组大厂威昨(8)日公布去年12月合并营收25.52亿元(新台币,下同),月减13.3%,年增12.65%,第4季合并营收82.28亿元,季增0.84%,为全年单季高点,累计去年全年合并营收322.25亿元,年增38.8%,创近4年来新高

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    2018-01-09 10:00
  • 淡季变旺 南亚科Q1营收有望重新高

    南亚科去年第4季每股纯益可望逾8元(新台币,下同),全年挑战赚1.5个股本,近期英特尔处理器芯片出现安全漏洞,启动新一波DRAM需求,加上本季合约价续涨3%至5%,以及20纳米投片大增,法人估,南亚科本季单月营收有望冲上70亿元新高,本季营收将

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    2018-01-08 09:19
  • 南亚科今年靠升级20纳米获利 目前投片量已达3.8万片/月

    DRAM厂南亚科技去年靠卖光转投资美光持股,业外大赚新台币200多亿元,加上本业获利,全年有机会赚到一个股本,今年则靠升级20纳米制程获利。南亚科去年赶在最后几个交易日,一口气卖光手上持有美光科技持股,第四季处分美光持股共获利约5.57亿美元,

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    2018-01-05 09:45
  • 南亚科20纳米DDR4产能开出 存储器封测厂福懋科扩产

    台塑集团旗下存储器封测厂福懋科2018年预计投入逾22亿元(新台币,下同)资本支出,将大举扩建DDR4预烧(burn-in)及芯片封测产能,以因应来自南亚科20纳米DDR4产能开出后,对后段封测产能的强劲需求。由于2018年DRAM市场位元出货

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    2018-01-04 09:39
  • 揭露DRAM和电容炒货内幕,三星兜底策略纵容涨价

    2017年内存、电容双双缺货涨价,其中内存每季度涨价超20%,电容普遍涨价4-5倍。据集微网获悉,缺货涨价固然有产能不足的因素,但原厂联合渠道商炒货,是其中更为重要的潜在影响因素。(DRAM)内存原厂出货量由三星电子一家独大,占据了近5成的市场

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    2018-01-02 09:27
  • IC Insights:DRAM今年价格将开始下滑

    研调机构ICInsights发布最新报告指出,DRAM厂于2017年第4季的销售金额将创下历史新高峰,预估达到211亿美元,较2016年第4季的128亿美元大增65%。ICInsights表示,据历史经验来看,DRAM产业在不久的将来,可能经历

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    2018-01-02 09:22
  • 两大新技术加持 三星二代10纳米DRAM量产抢商机

    抢攻DRAM市场商机,三星电子(SamsungElectronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm)8GbDDR4DRAM。该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(CellDataSensingSystem)及「空气间隔」(AirSp

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    2017-12-27 13:55

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