2021年至2025年第三代功率半导体年复合增长率达48%
3月10日,集邦咨询发布报告称,目前最具发展潜力的材料是具备高功率及高频率特性的宽带隙(Wide Band Gap,WBG)半导体,包含碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),主要应用多为电动汽车、快充市场。据TrendForce集邦咨询研究推估,第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元,至2025年将成长至47.1亿美元,年复合增长率达48%。
相较传统Si base,第三类功率半导体衬底制造难度较高且成本较为昂贵,目前在各大衬底供应商的开发下,包括Wolfspeed、II-VI、Qromis等业者陆续扩增产能,并将在2022下半年量产8吋衬底,预期第三类功率半导体未来几年产值仍有成长的空间。
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