三星公布内存路线图：2027 年 DDR6 内存将突破 10Gbps

三星公布内存路线图：2027 年 DDR6 内存将突破 10Gbps

10 月 8 日消息，据德媒 computerbase 消息，三星在 Samsung Foundry Forum 2022 活动中介绍了其内存路线图。

如上图所示，在即将到来的 2023 年，三星将进入 1bnm 工艺阶段，内存芯片容量将达到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在 6.4-7.2Gbps。显存方面，新一代 GDDR7 显存将在明年问世，因此 AMD 和英伟达显卡的新一代显卡的中期改款就有可能会用上 GDDR7 显存。

此外，三星还进行了一些长远的设想，如 2026 年推出 DDR6 内存，2027 年即实现原生 10Gbps 的速度。

三星也公布了其闪存的路线图，预计将在 2024 年推出 V9 NAND 芯片。

IT之家曾报道，三星在此前的 Tech Day 2022 活动中指出，其第九代 V-NAND 正在开发中，计划于 2024 年量产。到 2030 年，三星设想 NAND 堆叠超过 1,000 层，以更好地支持未来的数据密集型技术。三星还宣布，全球最高容量的 1Tb TLC V-NAND 将于今年年底向客户提供。