英特尔 三星 东芝 产能到位 记忆卡跌不休

英特尔 三星 东芝 产能到位 记忆卡跌不休

       碍于观望气氛浓厚，加上杀价竞争，快闪记忆卡终端市场报价自十一月至今跌幅已达二成，展望明年首季，因东芝与三星等新增产能到位，加上英特尔正式加入战局，在供给面持续上扬，需求面因缺乏新应用、提升速度不快的前提下，市场难逃供给过剩的命运，通路端近日已经传出，明年首季一GB快闪记忆卡报价恐再出现逾一五％的跌幅，终端市场价格下探到四百九十九元。

       通路端传出，日前三星的NAND Flash因自SLC转向MLC后，部份货源品质不理想，而十一月下旬，有业者将三星的MLC快闪记忆卡货源转往中国大陆，并辅以低价策略进行销售，连带引发整体市场的杀价竞争，在短短二周半间，快闪记忆卡的整体平均报价下跌幅度高达二成，一GB记忆卡零售市场的价格已经滑落到五百九十九元，而二GB的快闪记忆卡售价也落到一千元上下。

       即使二周半以来快闪记忆卡价格跌幅剧烈，却依旧无法带动市场买气，资讯月与近来的感恩节销售量均不理想，多数通路商的库存水位已经上扬，加上明年首季东芝、三星与英特尔都有新产能到位的前提下，通路市场近来传出，明年一月份快闪记忆卡的市场供给量将较第四季增加一倍。

       观需求面，通路商认为，此波快闪记忆卡价格下杀力道强劲，市场人心惶惶，观望气氛过于浓厚，加上缺乏新应用的刺激带动买气，接下来耶诞买气恐怕还是不佳，再者，考量明年首季有供给大于需求的疑虑，因此为了避免库存压力一再垫高，通路市场端现已传出，明年首季快闪记忆卡价格会再有一波大幅的降价动作，预期降幅约一七％，一GB快闪记忆卡报价五百元台币有找。

       通路业者也指出，其实今年因三星、东芝、海力士等将产能自DRAM转向NAND Flash后，快闪记忆卡的整体供给量较往年大幅增加，惟需求面部份，在缺乏新的杀手级应用产品之前提下，整体需求面成长幅度远不供给面新产能开出的速度，因此导致今年整体快闪记忆卡市况不理想的结果。

       而今年前八月快闪记忆卡市场始终处于供给过剩的情况，因此前八月快闪记忆卡报价跌幅剧烈，直到九月份随消费性电子产品传统销售旺季的到来，快闪记忆卡市场才逆转，报价也顺势止跌并小幅回温。惟自十一月三星MLC在大陆的低价促销，引发市场另一波激烈的杀价竞争，后续基于库存疑虑、买气不佳，加上供给面上扬等因素，通路商认为快闪记忆卡终端售价，于明年初难逃再度下杀的命运。
 
       来源：中国IC交易网