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安世中国首款IGBT功率模块支持175℃结温持续运行,兼具低损耗、高功率密度与面向恶劣工况的超高鲁棒性上海,2026年11月5日:行业领先的基础半导体器件与解决方案供应商安世中国今日推出面向1200V
共源共栅碳化硅结型场效应晶体管(CascodeSiCJFET,简称CJFET)兼具高耐压、低导通损耗、开关速度快及栅极电荷低(0?12V栅极驱动)等优势,在LLC谐振变换器中极具应用潜力。然而,其关断
技术资料
2026-11-02
解决方案
2026-11-02
2026-10-23
2026-10-21
解决方案
2026-10-12



