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  • 从“扫描”到“洞察”:Hyperlux ID如何赋能下一代机器视觉

    深度感知是现实机器视觉应用中不可或缺的关键功能。安森美(onsemi)的HyperluxID间接飞行时间(iToF)深度传感器,凭借更少、更小、更简单的器件,即可实现高精度深度感知。现代机器不仅要能够移动,更需自主感知周围环境、识别操作对象,并

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    2026-04-02 14:20
  • 安森美助推上能电气光伏与储能解决方案升级

    EliteSiC技术助力上能电气提升其高功率储能与光伏逆变器解决方案的能效、功率密度和长期可靠性摘要安森美宣布与上能电气达成一项新的设计合作:上能电气将在两大公用事业级可再生能源平台中采用安森美最新一代混合功率集成模块(PIM)。该模块集成安森

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    2026-03-31 17:07
  • 安森美发布中国战略,推动创新,加速全球增长

    安森美将上海设立为大中华区总部,并公布任命中国区总经理的计划中国上海,2026年3月31日——安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON)今日正式发布其中国战略,明确将以更加聚焦的方式深化在华布局。通过赋能区域领导力、拓展制造合作伙伴关系

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    2026-03-31 16:58
  • 从封装看功率芯片:碳化硅T2PAK封装的优势

    电动汽车(EV)、可再生能源系统和人工智能(AI)数据中心等领域电气化进程的持续提速,正不断给电源系统带来更大压力,对电源系统的效率、小型化及低温运行能力提出了更高要求。这构成了一个长期存在的难题:功率密度的提升与系统尺寸的缩减往往会造成严重的

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    2026-03-19 16:37
  • 安森美发出涨价函:一封信,揭开半导体行业的新信号

    近期,功率半导体龙头onsemi(安森美)向客户发出涨价通知,再次将市场的目光拉回到一个关键问题——芯片价格,正在重新进入上行通道。如果单看“涨价”本身,这并不算新鲜。在过去几十年里,半导体行业经历过多次价格周期波动。但这一次,情况正在发生微妙

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    2026-03-17 17:47
  • 为800V应用选择合适的半导体技术

    面向AI数据中心高压中间母线转换器应用的横向GaNHEMT、SiCMOSFET与SiCCascodeJFET的对比摘要随着AI数据中心向更高功率密度和更高效能源分配演进,高压中间母线转换器(HVIBC)正逐渐成为下一代云计算供电架构中的关键器件

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    2026-03-05 17:35
  • 安森美公布2025年第四季度及全年业绩

    2025年通过股票回购向股东返还14亿美元自由现金流中国上海,2026年2月10日——安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON)宣布公布其2025年第四季度及全年财务业绩,要点如下:·第四季度收入为15.30亿美元·第四季度公认会计原则

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    2026-02-10 10:00
  • IGBT基础知识:器件结构、损耗计算、并联设计、可靠性

    绝缘栅双极晶体管(IGBT)是电力电子领域广泛应用的半导体器件,融合了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)的优点,兼具高输入阻抗和低导通电压降的特点。尽管SiC和GaN等宽禁带半导体的应用愈发广泛,但在这些新技

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    2025-12-29 11:20
  • 安森美携手格罗方德开发下一代氮化镓功率器件

    此次合作拓展了安森美功率产品组合,涵盖面向AI数据中心、汽车、航空航天及其他关键市场的高性能650V横向氮化镓(GaN)解决方案。概要:安森美(onsemi)与格罗方德(GlobalFoundries,GF)达成全新合作协议,进一步巩固其在智能

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    2025-12-23 15:32
  • 从分立器件到集成模块,安森美全链路提升UPS功率密度与效率

    20世纪不间断电源(UPS)刚问世时,其唯一用途是在停电时提供应急供电,而高昂的成本限制了它的应用范围。如今,随着电力电子技术的持续发展,UPS已能够高效优化电能质量、过滤线路噪声、抑制电压浪涌,并可在任意场景下按需提供更长时间的备用电源。在低

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    2025-12-19 11:36
  • 安森美与佛瑞亚海拉深化战略合作,共同推进新一代电源技术发展

    此次合作将带来更智能的汽车电源解决方案,兼具卓越能效与优化性能新闻要点:·安森美(onsemi)与佛瑞亚海拉(FORVIAHELLA)签署全新长期协议,将在其先进汽车平台全面采用安森美PowerTrench?T10MOSFET技术·T10功率M

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    2025-12-12 15:35
  • 破局固态断路器应用,安森美SiC JFET因何成为最优解

    断路器是一种用于保护电路免受过电流、过载及短路损坏的器件。机电式断路器(EMB)作为业界公认的标准器件,包含两个独立触发装置:一个是双金属片,响应速度较慢,由过电流触发跳闸;另一个则是电磁装置,响应速度较快,由短路触发启动。EMB拥有设定好的跳

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    2025-12-09 10:01

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