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从封装看功率芯片：碳化硅T2PAK封装的优势
电动汽车（EV）、可再生能源系统和人工智能（AI）数据中心等领域电气化进程的持续提速，正不断给电源系统带来更大压力，对电源系统的效率、小型化及低温运行能力提出了更高要求。这构成了一个长期存在的难题：功率密度的提升与系统尺寸的缩减往往会造成严重的
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安森美发出涨价函：一封信，揭开半导体行业的新信号
近期，功率半导体龙头onsemi（安森美）向客户发出涨价通知，再次将市场的目光拉回到一个关键问题——芯片价格，正在重新进入上行通道。如果单看“涨价”本身，这并不算新鲜。在过去几十年里，半导体行业经历过多次价格周期波动。但这一次，情况正在发生微妙
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为800V应用选择合适的半导体技术
面向AI数据中心高压中间母线转换器应用的横向GaNHEMT、SiCMOSFET与SiCCascodeJFET的对比摘要随着AI数据中心向更高功率密度和更高效能源分配演进，高压中间母线转换器（HVIBC）正逐渐成为下一代云计算供电架构中的关键器件
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安森美公布2025年第四季度及全年业绩
2025年通过股票回购向股东返还14亿美元自由现金流中国上海，2026年2月10日——安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）宣布公布其2025年第四季度及全年财务业绩，要点如下：·第四季度收入为15.30亿美元·第四季度公认会计原则
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IGBT基础知识：器件结构、损耗计算、并联设计、可靠性
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是电力电子领域广泛应用的半导体器件，融合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）的优点，兼具高输入阻抗和低导通电压降的特点。尽管SiC和GaN等宽禁带半导体的应用愈发广泛，但在这些新技
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安森美携手格罗方德开发下一代氮化镓功率器件
此次合作拓展了安森美功率产品组合，涵盖面向AI数据中心、汽车、航空航天及其他关键市场的高性能650V横向氮化镓（GaN）解决方案。概要：安森美（onsemi）与格罗方德（GlobalFoundries,GF）达成全新合作协议，进一步巩固其在智能
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从分立器件到集成模块，安森美全链路提升UPS功率密度与效率
20世纪不间断电源（UPS）刚问世时，其唯一用途是在停电时提供应急供电，而高昂的成本限制了它的应用范围。如今，随着电力电子技术的持续发展，UPS已能够高效优化电能质量、过滤线路噪声、抑制电压浪涌，并可在任意场景下按需提供更长时间的备用电源。在低
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安森美与佛瑞亚海拉深化战略合作，共同推进新一代电源技术发展
此次合作将带来更智能的汽车电源解决方案，兼具卓越能效与优化性能新闻要点：·安森美（onsemi）与佛瑞亚海拉（FORVIAHELLA）签署全新长期协议，将在其先进汽车平台全面采用安森美PowerTrench?T10MOSFET技术·T10功率M
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破局固态断路器应用，安森美SiC JFET因何成为最优解
断路器是一种用于保护电路免受过电流、过载及短路损坏的器件。机电式断路器(EMB)作为业界公认的标准器件，包含两个独立触发装置：一个是双金属片，响应速度较慢，由过电流触发跳闸；另一个则是电磁装置，响应速度较快，由短路触发启动。EMB拥有设定好的跳
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安森美推出新型散热封装技术，提升高功耗应用能效
顶部冷却（Top-cool）封装为电动汽车、太阳能基础设施和储能系统带来卓越的散热性能、可靠性及设计灵活性中国上海-2025年12月5日--安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)宣布推出采用行业标准T2PAK顶部冷却封装的Elite
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安森美与英诺赛科达成战略合作协议，共同加速推进全球氮化镓产业生态建设
此次合作将建立高产能、成本优化的全球GaN制造体系，加速高能效功率器件的市场部署安森美（onsemi）宣布已与英诺赛科（Innoscience）签署谅解备忘录，双方将探索利用英诺赛科成熟的200毫米氮化镓（GaN）硅基工艺，以扩大GaN功率器件
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EliteSiC栅极驱动器匹配全指南：关键设计要点解析
本指南旨在针对各类高功率主流应用，提供为SiCMOSFET匹配栅极驱动器的专业指导，同时探索减少导通损耗与功率损耗的有效方法，以最大限度提升SiC器件在导通和关断过程中的电压与电流效率。电源应用和拓扑这些主流应用的功率范围从~10kW到~5MW