碳化硅（SiC）功率开关器件正成为工业电池领域一种广受欢迎的选择，因其能够实现更快的开关速度和更优异的低损耗工作，从而在不妥协性能的前提下提高功率密度。此外，SiC还支持IGBT技术无法实现的新型功率因数拓扑结构。本文将介绍隔离式DC-DC功率