DRAM厂淡淡3月天 512Mb DDRII跌破3美元
创新低 力晶茂德华亚科股价全黑
DRAM价格仍旧走不出淡季阴霾，受Vista效应不如预期影响，512Mb DDRII有效测试颗粒（eTT）继年初先后失守5美元与4美元价位后，近期也正式跌破3美元关卡，创DDRII问世以来最低价。随着价格疲弱态势未见改善，DRAM厂3月营运恐仍面临“度小月”的命运。
通路业者分析，近期DRAM价格走跌，与先前NAND Flash市况不振，晶片制造商将产能转生产DRAM，相关产能正式产出进入市场有关，由于现阶段原本就是传统淡季，在市场供给增加下，自然对价格走势形成压力。
此外，本月逢日本会计年度尾声，市场期待日系DRAM厂近期将出清库存，价格还有下杀空间，因此当库存回补到一定水位后，在“等着捡清仓便宜货”的预期心理下，买气也逐渐趋于观望。
根据集邦科技昨（13）日最新报价，512Mb DDRII有效测试颗粒报价，正式跌破3美元价位，下探2.83美元，创下新低，单日跌幅达2.74%；年初迄今，同规格颗粒相继失守5美元及4美元价位，三个月来，跌幅已经超过五成。512Mb DDRII品牌颗粒价格也同步向下修正，跌幅大于1.6%。
DRAM厂2月营收受价格不及工作天数减少影响，普遍较元月下滑两成左右，随价持续格走弱，DRAM厂短期营运仍面临严峻挑战，类股中包括力晶（5346）、茂德（5387）、华亚科（3474）等，昨天全数收黑，即使3月工作天数回复正常，但因价格跌势超乎预期，业者对于3月营运展望也转偏保守。
南科（2408）认为，本月DRAM市场需求依旧疲弱，合约价格走势仍将向下修正，幅度约在13%至15%左右，估计本季合约价会比上季下跌30%，因此虽然本月产出仍会持续增加，但由于跌价效应，目前先以维持2月持平以上水准为目标。
转自《台湾经济日报》
DRAM价格仍旧走不出淡季阴霾，受Vista效应不如预期影响，512Mb DDRII有效测试颗粒（eTT）继年初先后失守5美元与4美元价位后，近期也正式跌破3美元关卡，创DDRII问世以来最低价。随着价格疲弱态势未见改善，DRAM厂3月营运恐仍面临“度小月”的命运。
通路业者分析，近期DRAM价格走跌，与先前NAND Flash市况不振，晶片制造商将产能转生产DRAM，相关产能正式产出进入市场有关，由于现阶段原本就是传统淡季，在市场供给增加下，自然对价格走势形成压力。
此外，本月逢日本会计年度尾声，市场期待日系DRAM厂近期将出清库存，价格还有下杀空间，因此当库存回补到一定水位后，在“等着捡清仓便宜货”的预期心理下，买气也逐渐趋于观望。
根据集邦科技昨（13）日最新报价，512Mb DDRII有效测试颗粒报价，正式跌破3美元价位，下探2.83美元，创下新低，单日跌幅达2.74%；年初迄今，同规格颗粒相继失守5美元及4美元价位，三个月来，跌幅已经超过五成。512Mb DDRII品牌颗粒价格也同步向下修正，跌幅大于1.6%。
DRAM厂2月营收受价格不及工作天数减少影响，普遍较元月下滑两成左右，随价持续格走弱，DRAM厂短期营运仍面临严峻挑战，类股中包括力晶（5346）、茂德（5387）、华亚科（3474）等，昨天全数收黑，即使3月工作天数回复正常，但因价格跌势超乎预期，业者对于3月营运展望也转偏保守。
南科（2408）认为，本月DRAM市场需求依旧疲弱，合约价格走势仍将向下修正，幅度约在13%至15%左右，估计本季合约价会比上季下跌30%，因此虽然本月产出仍会持续增加，但由于跌价效应，目前先以维持2月持平以上水准为目标。
转自《台湾经济日报》