iSuppli预料NAND快闪记忆体晶片价格下滑速度放慢

iSuppli预料NAND快闪记忆体晶片价格下滑速度放慢

     美国研究公司iSuppli称,NAND快闪记忆体(闪存)晶片价格料将以较缓慢的速度下滑,因供应成长趋于紧俏,且电子业者需求增加.
    
     ISuppli把NAND快闪记忆体短期市况的评等从"负面"调高为"中性",但表示,"对于供应商近期的市况乐观不无道理."
    
     该研究公司指出,不过就在两周前,它曾表示供应商所处的市况是历来最严峻的.iSuppli在日期注明为周一的报告中称,"尽管环境依旧严峻,转捩点却也近在咫尺."
    
     iSuppli首席分析师Nam Hyung Kim说,"包括三星电子和海力士半导体等韩国供应商,都在减缓NAND的产出增速,导致供需状况更为平衡,在市场上的议价能力转佳."
    
     NAND快闪记忆体(闪存)晶片价格自去年以来便急遽下滑,但分析师预期,受到产量限制与对高容量新应用的需求支撑,销售将在下半年复苏.
    
     自2006年第四季起,三星电子<005930>和海力士半导体<000660>持续将产能移转至利润较高的动态随机存取记忆体(DRAM),这有助于降低供给、削减过剩存货.
    
     iSuppli指出,需求方面,电子业者料将买进更多NAND快闪记忆体,以确保以现有低价大量买进NAND,同时也是因为预期下半年有可能出现供给短缺的情形.
    
     相对照的是,韩国业者增加DRAM生产,加上第一季的传统淡季效应,iSuppli称这正对DRAM价格带来不利影响.
    
     不过iSuppli预期韩国晶片制造业者第二季将持续专注于DRAM,因DRAM利润仍高于NAND.
    
     三星电子为全球最大NAND快闪记忆体制造商,其次依序为日本东芝<6502>及韩国海力士.