NAND Flash产业Q2不若以往大幅供过于求，OEM代工厂地位将动摇
NAND Flash产业Q2不若以往大幅供过于求，OEM代工厂地位将动摇
反应上游货源不足 NAND Flash合约价往上调整
根据上周所公布的NAND Flash最新合约价资讯，MLC 4Gb、8Gb、16Gb、32Gb四种容量的合约价格都往上调整，调涨幅度在4至7%之间。而SLC部分，多数容量的价格均维持不变。这次合约价格的调整是继三月上旬之后，今年第二次的价格调涨。根据观察，这次合约价往上调整主要是反应预期NAND Flash市场四月上游供应量的不足。
观点：
一、2007年NAND Flash 12寸产能实际增加幅度并不大
NAND Flash产业历经2006年ASP大幅滑落65%后，各大厂商可谓受伤惨重，毛利率也顺应下滑了10~20%，在大趋势仍是供过于求的环境下，各大厂皆对自己的策略做了些许的调整，如韩国厂商都不约而同的将NAND Flash产能部份转回生产毛利率较高的DRAM，其中Samsung原本预期在2007年第三季量产的产能将顺延一季的可能性大增，而Hynix则是将12寸产能往80nm以下的DRAM制程布局发展；另外，Toshiba新的12寸厂 (Fab 4)则是延至2007年第四季建厂完毕后，才会在2008年第二季后实质量产，如此一来，2007年各家厂商市占率除IM Flash之外并无大变化。
二、NAND Flash供需：不若以往大幅供过于求，OEM代工厂地位将动摇；
2007年第一季ASP QoQ落底，第二季仅处于小幅供过于求总结以上，2007年的供需由于供给端2007年产能成长率较以往小及产能转回DRAM产业的前提下，使得sufficiency (supply-to-demand)所呈现出来的供过于求幅度较2006年小仅为2.3%，而Vista效应及小型记忆卡需求容量的扩大除了影响2007年下半年之外，亦会延续到2008年使得NAND Flash容量大幅扩增，预期ASP的降幅将不若以往每年有50~70%，供需渐趋平衡的产业环境下，以往处于卖方场的下游OEM厂商将开始面临到需和上游策略联盟或改变存货策略等以顺应市场行场的变化。
而2007年每季的供需变化，除了和以往一样受到第一季淡季影响使得ASP急速滑落30%之外，第二季的sufficiency仅为1.8，并不会像2006年第二季仍为大幅度供过于求的7.2，主要是由于供应商12寸产能开出幅度不若预期再加上2006年第四季至2007年第一季韩国厂商将NAND Flash产能转移回毛利率较高的DRAM产业，此影响预期将持续至2007年下半年，综观全年ASP QoQ下滑幅度最大应已落在第一季。
三、在NAND Flash产业链中，台厂火力集中在中游部份（模组厂、记忆卡控制IC厂商及小型记忆卡封装）
记忆卡市场主流由2006年中以前的mini SD卡走入micro SD卡，由于micro SD卡的体积较小且薄，使其封装技术需采用封装厂COB制程而非以往的SMT；在2006年时，由于规格转换过于快速，一者出乎厂商意料，再者厂商来不及因应布建产能，使得全年记忆卡封装产能产生了供不应求局面，2006年下半产能陆续开出时，台厂除最早进入的矽品、华泰之外，新加入了力成、胜开、典范、群联转投资的群丰，以及京元电、威刚、联电投资公司合资的坤远等等；而2007年初的新加入者菱生原以类比IC封装为主，另一家华东原已有Flash封测技术，已通过一家客户认证，此两家都宣称将大幅扩展产能。
2006年小型记忆卡封装产能供不应求在供给端的主因为滚轮式封装易出现产品粗边，雷射式封装则因高温易损伤晶片，再加上微小型记忆卡封装良率要求为高标之98.5%以上，使得厂商不敢大幅充产能；虽然新式流刀机封装良率较传统佳，不过因其尚非标准设备，厂商仍没打算大幅扩充能。在代工价格稳定的大环境下，2006年下半年封装一颗micro SD卡价格为0.9~1.0美元（产品良率在98.5%以上），使得良率高的厂商毛利率能有30%~35%的水准，不过毛利率需视各厂商产品良率为主。
反应上游货源不足 NAND Flash合约价往上调整
根据上周所公布的NAND Flash最新合约价资讯，MLC 4Gb、8Gb、16Gb、32Gb四种容量的合约价格都往上调整，调涨幅度在4至7%之间。而SLC部分，多数容量的价格均维持不变。这次合约价格的调整是继三月上旬之后，今年第二次的价格调涨。根据观察，这次合约价往上调整主要是反应预期NAND Flash市场四月上游供应量的不足。
观点：
一、2007年NAND Flash 12寸产能实际增加幅度并不大
NAND Flash产业历经2006年ASP大幅滑落65%后，各大厂商可谓受伤惨重，毛利率也顺应下滑了10~20%，在大趋势仍是供过于求的环境下，各大厂皆对自己的策略做了些许的调整，如韩国厂商都不约而同的将NAND Flash产能部份转回生产毛利率较高的DRAM，其中Samsung原本预期在2007年第三季量产的产能将顺延一季的可能性大增，而Hynix则是将12寸产能往80nm以下的DRAM制程布局发展；另外，Toshiba新的12寸厂 (Fab 4)则是延至2007年第四季建厂完毕后，才会在2008年第二季后实质量产，如此一来，2007年各家厂商市占率除IM Flash之外并无大变化。
二、NAND Flash供需：不若以往大幅供过于求，OEM代工厂地位将动摇；
2007年第一季ASP QoQ落底，第二季仅处于小幅供过于求总结以上，2007年的供需由于供给端2007年产能成长率较以往小及产能转回DRAM产业的前提下，使得sufficiency (supply-to-demand)所呈现出来的供过于求幅度较2006年小仅为2.3%，而Vista效应及小型记忆卡需求容量的扩大除了影响2007年下半年之外，亦会延续到2008年使得NAND Flash容量大幅扩增，预期ASP的降幅将不若以往每年有50~70%，供需渐趋平衡的产业环境下，以往处于卖方场的下游OEM厂商将开始面临到需和上游策略联盟或改变存货策略等以顺应市场行场的变化。
而2007年每季的供需变化，除了和以往一样受到第一季淡季影响使得ASP急速滑落30%之外，第二季的sufficiency仅为1.8，并不会像2006年第二季仍为大幅度供过于求的7.2，主要是由于供应商12寸产能开出幅度不若预期再加上2006年第四季至2007年第一季韩国厂商将NAND Flash产能转移回毛利率较高的DRAM产业，此影响预期将持续至2007年下半年，综观全年ASP QoQ下滑幅度最大应已落在第一季。
三、在NAND Flash产业链中，台厂火力集中在中游部份（模组厂、记忆卡控制IC厂商及小型记忆卡封装）
记忆卡市场主流由2006年中以前的mini SD卡走入micro SD卡，由于micro SD卡的体积较小且薄，使其封装技术需采用封装厂COB制程而非以往的SMT；在2006年时，由于规格转换过于快速，一者出乎厂商意料，再者厂商来不及因应布建产能，使得全年记忆卡封装产能产生了供不应求局面，2006年下半产能陆续开出时，台厂除最早进入的矽品、华泰之外，新加入了力成、胜开、典范、群联转投资的群丰，以及京元电、威刚、联电投资公司合资的坤远等等；而2007年初的新加入者菱生原以类比IC封装为主，另一家华东原已有Flash封测技术，已通过一家客户认证，此两家都宣称将大幅扩展产能。
2006年小型记忆卡封装产能供不应求在供给端的主因为滚轮式封装易出现产品粗边，雷射式封装则因高温易损伤晶片，再加上微小型记忆卡封装良率要求为高标之98.5%以上，使得厂商不敢大幅充产能；虽然新式流刀机封装良率较传统佳，不过因其尚非标准设备，厂商仍没打算大幅扩充能。在代工价格稳定的大环境下，2006年下半年封装一颗micro SD卡价格为0.9~1.0美元（产品良率在98.5%以上），使得良率高的厂商毛利率能有30%~35%的水准，不过毛利率需视各厂商产品良率为主。