IDF:英特尔今年推出45纳米酷睿和固态硬盘

来源: 作者: 时间:2007-04-19 15:06

    

       贾斯汀还预计下一代闪存将在今年正式推出,这种固态硬盘的功耗是普通硬盘的十分之一,但性能却可比普通硬盘提高10倍。
       4月17日,英特尔首席技术官兼企业技术事业部总监、英特尔资深院士贾斯汀向外界披露英特尔的技术发展路线图,并称摩尔定律仍然将继续。
       据贾斯汀介绍,从2006年至今,英特尔已经生产了1亿1千200万颗65纳米制程的CPU,在本季度,英特尔生产的cpu中,94%均为65纳米技术。07年下半年英特尔将使用45纳米技术生产酷睿的第二代产品,目前命名为PENRYN,产品性能提升了72%,漏电率降低十倍,晶体管密度提高了两倍。32纳米的技术将在2009年推出。
       此外,贾斯汀还预计下一代闪存将在今年正式推出,这种固态硬盘的功耗是普通硬盘的十分之一,但性能却可比普通硬盘提高10倍。相比普通硬盘,固态硬盘易携带,发热量小,这将打破硬盘传统存储技术的革命。
       另据贾斯汀介绍,下一代NAND闪存的规格包括超过100万个写入周期,超过10年的保存时间。而且在该闪存上可以直接改写数据位,无需删除。(记者 肖克锋)

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