2006年NAND Flash市场呈现高成长率(图)

来源:中国半导体行业网 作者: 时间:2005-12-07 17:46

     (华强电子世界网讯) NAND Flash闪存今年光芒盖过DRAM,引发半导体业争相投产,除了原本就在NAND Flash领域执牛耳的三星(Samsung)、东芝(Toshiba)外,连美光(Micron)、海力士(Hynix)、力晶及中芯等半导体大厂都将部分DRAM产能转移生产NAND Flash,使得今年内存市场不再以DRAM马首是瞻,有NAND Flash才够「呛」。
    
      TRI观点:
    
      NAND Flash龙头厂商Samsung、Toshiba2006年仍维持强势发展格局
    
      Samsung在2005和2006年仍然处于市场领先地位,市占率60%,排在其后的分别为Toshiba/SanDisk(市占率30%)、Hynix/STMicroelectronics、Renesas、Micron和Infineon。目前,三星电子采用300mm晶圆,利用90奈米制程生产4Gb产品。Toshiba/SanDisk采用200mm晶圆,利用90奈米制程制造4Gb MLC,且预计在2005年下半年采用300mm晶圆,利用70奈米制程生产8Gb MLC,由于早年筑起的高技术门坎发酵,后进者始终无法在近几年突破10%的市占率。
    
      2005年新竞争者持续呈现高成长
    
      2005年在NAND闪存领域的新厂商有Micron、Infineon和Hynix/STMicroelectronics,其位出货量预计有8%、441%和332%令人惊愕的成长,以第三名Hynix/STMicroelectronics而言,其2004年的市场占有率为5%,预计2005年和2006年都将达到8%的市场占有率。
    
      NAND Flash 2005第三、四季价格呈现节节上涨及持稳,已带给原厂毛利率超过45%,相较于DRAM产品价格跌跌不休更吸引人;如此高的毛利让过去专供Nor Flash的Intel也急忙与Micron共同投资12亿美元兴建NAND Flash厂。
    
      NAND Flash 2006年新秀中芯和力晶
    
      中芯将投入过去未涉足的NAND Flash闪存领域,除已在2005年中从Saifun(以色列半导体IP业者)获得技术授权取得量产能力外,也将在北京12吋厂用90奈米量产NAND Flash。
    
      而力晶亦开始借力使力,藉由Renesas半导体NAND Flash研发团队急起直追,两岸内存龙头,投入NAND Flash,虽对2006年NAND Flash市场尚不会有大影响,不过对个别厂商而言,倒增添了集资想象题材。
    
      TRI观点
    
      新进入产业的厂商,对目前的两个技术主导者还未产生严重威胁,主要是这些领导厂商在技术方面保持领先1~2代,拓墣产业研究所认为,预期2006年的前四大厂商新增的产出量如表一所示,皆仍有100%以上的成长,不过在2006年NAND Flash市场成长率仍达20~30%的范围之下,预期尚不会造成供过于求的情形,而四大厂的市占率部份,则是一二名仅小幅缩小,排名不变。
    


    
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(编辑 甘心)

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