2006年NAND Flash市场呈现高成长率（图）

2006年NAND Flash市场呈现高成长率（图）

     (华强电子世界网讯) NAND Flash闪存今年光芒盖过DRAM，引发半导体业争相投产，除了原本就在NAND Flash领域执牛耳的三星（Samsung）、东芝（Toshiba）外，连美光（Micron）、海力士（Hynix）、力晶及中芯等半导体大厂都将部分DRAM产能转移生产NAND Flash，使得今年内存市场不再以DRAM马首是瞻，有NAND Flash才够「呛」。
    
    　　TRI观点：
    
    　　NAND Flash龙头厂商Samsung、Toshiba2006年仍维持强势发展格局
    
    　　Samsung在2005和2006年仍然处于市场领先地位，市占率60%，排在其后的分别为Toshiba/SanDisk（市占率30%）、Hynix/STMicroelectronics、Renesas、Micron和Infineon。目前，三星电子采用300mm晶圆，利用90奈米制程生产4Gb产品。Toshiba/SanDisk采用200mm晶圆，利用90奈米制程制造4Gb MLC，且预计在2005年下半年采用300mm晶圆，利用70奈米制程生产8Gb MLC，由于早年筑起的高技术门坎发酵，后进者始终无法在近几年突破10%的市占率。
    
    　　2005年新竞争者持续呈现高成长
    
    　　2005年在NAND闪存领域的新厂商有Micron、Infineon和Hynix/STMicroelectronics，其位出货量预计有8%、441%和332%令人惊愕的成长，以第三名Hynix/STMicroelectronics而言，其2004年的市场占有率为5%，预计2005年和2006年都将达到8%的市场占有率。
    
    　　NAND Flash 2005第三、四季价格呈现节节上涨及持稳，已带给原厂毛利率超过45%，相较于DRAM产品价格跌跌不休更吸引人；如此高的毛利让过去专供Nor Flash的Intel也急忙与Micron共同投资12亿美元兴建NAND Flash厂。
    
    　　NAND Flash 2006年新秀中芯和力晶
    
    　　中芯将投入过去未涉足的NAND Flash闪存领域，除已在2005年中从Saifun（以色列半导体IP业者）获得技术授权取得量产能力外，也将在北京12吋厂用90奈米量产NAND Flash。
    
    　　而力晶亦开始借力使力，藉由Renesas半导体NAND Flash研发团队急起直追，两岸内存龙头，投入NAND Flash，虽对2006年NAND Flash市场尚不会有大影响，不过对个别厂商而言，倒增添了集资想象题材。
    
    　　TRI观点
    
    　　新进入产业的厂商，对目前的两个技术主导者还未产生严重威胁，主要是这些领导厂商在技术方面保持领先1~2代，拓墣产业研究所认为，预期2006年的前四大厂商新增的产出量如表一所示，皆仍有100%以上的成长，不过在2006年NAND Flash市场成长率仍达20~30%的范围之下，预期尚不会造成供过于求的情形，而四大厂的市占率部份，则是一二名仅小幅缩小，排名不变。