DRAM产出增幅趋缓 供需渐转平衡
(华强电子世界网独家报道) 因DRAM厂总产出量剧增，DRAM产业近几个月是惨不忍睹，不过DRAM厂11月总产出量趋缓，业者认为在上游供应趋缓，下游终端客户需求又将持续增温的情况下，2006年第一季度起到DRAM供需渐转平衡，届时市场应是渐入佳境。
DRAM厂指出，过去1～2个月DRAM厂总产出量之所以会大量增加，主要是2005年第二季度时，由于DRAM厂预期DDRII可能会因进入市场需求旺季而产出缺货效应，因此便开始大量将产能增加且投入DDRII。但后来却因英特尔支持DDRII芯片组无法如预期开出，因此导致DRAM厂DDRII库存量不断节节攀升，使DDRII报价一跌再跌，甚至跌破DDR报价。
也正因为DRAM厂被DDRII剧烈跌幅吓到，因此开始将产能陆续调配到非标准型DRAM，几个月来终于使得DRAM总产出量趋缓。经验经销商认为，在产出面获得一定程度控制的情况下，只要需求面不断转强，DRAM产品报价自然会同步加温。
目前DRAM市场供需几近平衡，价格已呈趋温回升状态，业者因此认为，未来DRAM看涨机会大增，整体看来市场需求面再度复苏。DRAM价格经过先前几个月下滑后，已呈现趋温回升迹象，尤其DDRII合约市场供给紧俏状况确立，整体价格压力已经获得解除，未来DRAM价格往上机会增加。
12月14日深圳现货行情显示，DDR方面今天UTT颗粒于最低价格出现补货活动，因此价格轻微反弹。大部份通路商仍然抱持谨慎态度，只是找寻低于市场价格的产品。今天主流品牌Hynix 256M DDR266/333/400尾市收于￥120/￥124/￥138。
据悉，DRAM大厂方面新产能纷纷往闪存开出，目前DRAM供给上增加并不多，加上DRAM应用开始延伸至非PC领域，都使得需求面露出曙光，以此推断，明年第一季度DRAM将出现淡季不淡。
DRAM厂指出，过去1～2个月DRAM厂总产出量之所以会大量增加，主要是2005年第二季度时，由于DRAM厂预期DDRII可能会因进入市场需求旺季而产出缺货效应，因此便开始大量将产能增加且投入DDRII。但后来却因英特尔支持DDRII芯片组无法如预期开出，因此导致DRAM厂DDRII库存量不断节节攀升，使DDRII报价一跌再跌，甚至跌破DDR报价。
也正因为DRAM厂被DDRII剧烈跌幅吓到，因此开始将产能陆续调配到非标准型DRAM，几个月来终于使得DRAM总产出量趋缓。经验经销商认为，在产出面获得一定程度控制的情况下，只要需求面不断转强，DRAM产品报价自然会同步加温。
目前DRAM市场供需几近平衡，价格已呈趋温回升状态，业者因此认为，未来DRAM看涨机会大增，整体看来市场需求面再度复苏。DRAM价格经过先前几个月下滑后，已呈现趋温回升迹象，尤其DDRII合约市场供给紧俏状况确立，整体价格压力已经获得解除，未来DRAM价格往上机会增加。
12月14日深圳现货行情显示，DDR方面今天UTT颗粒于最低价格出现补货活动，因此价格轻微反弹。大部份通路商仍然抱持谨慎态度，只是找寻低于市场价格的产品。今天主流品牌Hynix 256M DDR266/333/400尾市收于￥120/￥124/￥138。
据悉，DRAM大厂方面新产能纷纷往闪存开出，目前DRAM供给上增加并不多，加上DRAM应用开始延伸至非PC领域，都使得需求面露出曙光，以此推断，明年第一季度DRAM将出现淡季不淡。
(编辑:何景)
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邮箱:hanying@hqew.com
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