春节补货动作强劲 DRAM市场略显红火

春节补货动作强劲 DRAM市场略显红火

     (华强电子世界网独家报道) 据了解，受2006年春节补货动作强劲影响，近期DRAM现货价已开始止跌调涨。现货行情显示，DRAM现货价于12月上旬起反弹幅度达6%-10%，而下旬合约价及现货价仍有小幅上扬趋势。由于此波价格反弹主要为我国春节期间补库存需求，业者预期，这一需求力道可望延续至春节前。
    
     DRAM市场方面，虽然OEM计算机大厂的采购补货动作已于12月上旬告一段落，在需求量明显较上旬冷清情况下，12月下旬合约价略有降势。但因春节库存回补动作渐频，近期现货行情显示，DRAM现货价开始止跌微涨。
    
     12月28日深圳现货行情显示，今天价格整体平稳，市场一片安静。主流品牌Hynix 256M DDR266/333/400尾市收于￥131/￥136/￥147。
    
     虽然包括iSuppli等市调机构，认为DRAM价格在出现一波反弹走势后，明年市场前景至今还是混沌未明，若以过去DRAM市场上半年为传统淡季的历史经验来看，要等到下一波DRAM重新站回上涨循环，可能还要等三至四个月时间。
    
     但目前现货行情显示，今年DRAM市场第四季获利表现可望优于市场预期，加上第四季度旺季不旺可望烘托明年第一季度淡季不淡。分析师表示，DRAM现货价12月上旬起反弹幅度达6%-10%，而集邦科技12月下旬 DDR1合约价与市场预期的2%之内涨幅相当， DDR2合约价也呈现持平，推估春节前后补库存需求力道可望延续至明年1月中旬。
    
     近期iSuppli报告也显示，预测DRAM价格2006年首季有望出现反弹。据悉，iSuppli预计2006年DRAM市场将较2005年有所下滑。全球DRAM销售收入预计将为239.7亿美元，较2005年的252.5％下降5.1％。不过，iSuppli预计，DRAM市场销售收入预计将在2007年出现反弹，预计将较2006年增长12％，达到268亿美元。