DRAM合约价看涨 南科力晶茂德第4季再登高
（华强电子世界网讯）随着DRAM合约价持续看涨，各厂扩产效益持续发酵，南科、力晶及茂德第四季营运依然看俏，可望同步刷新单季营收历史新高纪录。
DRAM现货价自9月下旬起快速回跌，目前DDR2512Mb ETT现货价已跌破6美元支撑关卡，仅剩5.95美元，自高点7.03美元估算，跌幅已达15.36%。
另外集邦科技预期，10月上旬DRAM合约价可望再上涨4至5%，不过下旬在新增产能陆续开出后，合约价涨势恐将趋缓，甚至持平走势。
虽然DRAM市场气氛趋于悲观，为DRAM厂第四季营运添增变数；不过包括南科等业者依然看好第四季DRAM合约价可望持续走扬，并对于第四季营运乐观期待，预期可望优于第三季，续创单季新高纪录。
力晶表示，随着Vista作业系统与新款电玩等新产品上市效应，将为DRAM及Flash等记忆体产品市场带来正面推升作用。
除了市场需求依然强劲外，力晶12A及12B两座12寸厂良率稳定提升，另外已于第三季投片量产的12M也将于第四季逐步出货，可望带动力晶第四季业绩延续逐月上扬的走势；法人估计，季营收可望首度突破300亿元关卡，将逾314亿元，季增率达2成以上水准。
南科表示，随合约价持续调涨，另公司产出再增加4% ，预期第四季业绩应可优于第三季；法人预期，南科季营收可望挑战225亿元，季增率约1成。
法人同时预期，茂德在90奈米制程产出持续稳健成长，第四季出货量可望再成长1成水准，季营收可望挑战200亿元关卡。
DRAM现货价自9月下旬起快速回跌，目前DDR2512Mb ETT现货价已跌破6美元支撑关卡，仅剩5.95美元，自高点7.03美元估算，跌幅已达15.36%。
另外集邦科技预期，10月上旬DRAM合约价可望再上涨4至5%，不过下旬在新增产能陆续开出后，合约价涨势恐将趋缓，甚至持平走势。
虽然DRAM市场气氛趋于悲观，为DRAM厂第四季营运添增变数；不过包括南科等业者依然看好第四季DRAM合约价可望持续走扬，并对于第四季营运乐观期待，预期可望优于第三季，续创单季新高纪录。
力晶表示，随着Vista作业系统与新款电玩等新产品上市效应，将为DRAM及Flash等记忆体产品市场带来正面推升作用。
除了市场需求依然强劲外，力晶12A及12B两座12寸厂良率稳定提升，另外已于第三季投片量产的12M也将于第四季逐步出货，可望带动力晶第四季业绩延续逐月上扬的走势；法人估计，季营收可望首度突破300亿元关卡，将逾314亿元，季增率达2成以上水准。
南科表示，随合约价持续调涨，另公司产出再增加4% ，预期第四季业绩应可优于第三季；法人预期，南科季营收可望挑战225亿元，季增率约1成。
法人同时预期，茂德在90奈米制程产出持续稳健成长，第四季出货量可望再成长1成水准，季营收可望挑战200亿元关卡。
（编辑 Shirely）
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邮箱：xieping@hqew.com
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