《新闻分析》DRAM走出低气压

《新闻分析》DRAM走出低气压

     4月上旬NAND Flash合约价狂涨逾两成，价格惊惊涨，不仅让概念股营运走出传统淡季束缚，呈现与今年前两月完全不同的走势外，也为近期低气压笼罩的DRAM产业，减少了不小压力。
    
     DRAM价格今年以来直直落，512Mb DDRII有效测试颗粒（eTT）一路由6美元以上下杀，近期已下探2.6美元附近的超低价，去年第四季DRAM厂「每天赚1亿」的好光景不再。
    
     由于DRAM与NAND Flash制程可互相转换，随NAND Flash市况回稳走扬，在获利空间较DRAM大下，原本规划提拨转回生产DRAM的NAND Flash产能可望维持既有状况，有助减少DRAM市场供给，抑制价格继续走跌。
    
     DRAM业者认为，目前DRAM价格不振，与供给大于需求有关，只要既有NAND Flash的产能不调回生产DRAM，对DRAM业者走过这段淡季时期是绝对助力，预期DRAM景气在第二季末便会朝另一波高潮发展。