受多重因素影响 NAND闪存需求短暂降温

受多重因素影响 NAND闪存需求短暂降温

     (华强电子世界网独家报道) 随着进入耶诞采购旺季末，模块厂对于NAND Flash需求明显下降，现货市场也出现NAND闪存供过于求现象，但业者也强调，此情况应不会持续太久，预计一旦进入2006年春节需求旺季，届时NAND Flash需求将会再次大增。
    
     据悉，由于耶诞采购旺季需求即将进入尾声，目前采购过多NAND Flash将会形成更大的库存压力，加上NAND Flash价格仍处于持续走跌阶段，业者为避免遭库存压力，对于采购NAND Flash态度保守许多。
    
     之前包括三星、海力士及美光等国际DRAM大厂，为顺利出清手中过多DDRII货源，纷要求模块厂在购买NAND Flash同时，也采购一定数量DDRII。但如今模块业者手上DDRII颗粒库存量纷接近满水位状态，尽管DDRII市场需求已较过去出现些微成长，但若继续吃下DDRII货源，库存风险将大幅提升，因此，模块厂在此时不得不鼓起勇气开始国际DRAM大厂的NANS闪存配货措施。
    
     12月初深圳现货行情显示，NAND Flash价格走低比较明显，有较多的货源放到现货市场。由于买家认为价格继续会走低，所以采购动作十分谨慎，全天成交量不多。12月2日Hynix 2Gb下跌比较明显，至当天下午深圳市场已经跌到￥118。由于市场交易比较平淡，目前业者预期后市价格仍有一定压力。
    
     另一方面，近期虽然终端需求仍显强劲，但随着三星产出良率明显改善，产出大幅增加，多数模块商已无缺货压力，加上合约价持续走跌，NAND Flash价格开始呈现易跌难涨趋势。
    
     尽管如此，拥有多数NAND Flash货源的三星对此则认为，目前此一情况应仅是短暂的过渡期现象，应不至于持续太久，原因在于NAND Flash供货来源毕竟仍少于标准型DRAM，因此，只要几家DRAM大厂坚守NAND Flash不放货，市场到头来仍将出现供不应求状态，预计在未来3～4周的需求淡季过后，紧接着又将进入中国春节需求旺季，届时模块厂仍将接受国际DRAM大厂既有的配货措施。