业界纷争 明年NAND闪存市场竞争趋激烈

     (华强电子世界网独家报道) 英特尔、美光宣布合资兴建NAND厂，引起部分业者担忧，FLASH恐有供给过多情况。对此威刚董事长陈立白表示，新增产能约要到2007年下半年才会释出，对明年FLASH行情，不致有抑制压力，无需过度悲观。但，面对明年NAND闪存市场竞争趋激烈的变化，建议业者应予以关注。
    
     虽然三星认为，明年第一季度将出现供过于求情况，但在现货市场看不到FLASH新增产能释出，以及三星、海力士又与APPLE签订长期FLASH供货合约的情况下，预估该季整体市况仍有小幅缺货情况。
    
     NAND Flash闪存今年光芒盖过DRAM，引发半导体业争相投产，除了原本就在NAND Flash领域执牛耳的三星、东芝外，连美光、海力士、力晶及中芯等半导体大厂都将部分DRAM产能转移生产NAND Flash。 其次Micron、Infineon和Hynix/STMicroelectronics等新厂商也积极投产，其出货量预计有8%、441%和332%令人惊愕的成长，以第三名Hynix/STMicroelectronics而言，其2004年的市场占有率为5%，预计2005年和2006年都将达到8%的市场占有率。
    
     虽然新进入产业的厂商，对目前的两个技术主导者还未产生严重威胁，主要是这些领导厂商在技术方面保持领先1-2代，但拓墣产业研究所认为，预期2006年的前四大厂商新增的产出量仍有100%以上的成长。不过在2006年NAND Flash市场成长率仍达20-30%的范围之下，预期尚不会造成供过于求的情形，但竞争趋向激烈却是业内不容忽视的事情。
    
     据了解，目前三星在2005和2006年仍然处于市场领先地位，市占率60%，排在其后的分别为Toshiba/SanDisk（市占率30%）、Hynix/STMicroelectronics、Renesas、Micron和Infineon。
    
     业内人士认为，过量的产能已经并将长期影响NAND的价格。以去年第三季度为例，当ST和Hynix开始合作生产基于0.12微米工艺的512Mb NAND时，NAND的价格马上在2004年7、8月下跌了30%。今年第二季度，美光扩充了产能，再加上第二季度的淡季效应，使NAND的价格又下跌了30%。
    
     Kingmax董事长刘福州认为，由于工艺的推进、供需平衡，最乐观的情况是：NAND闪存的成本将以每年33%的幅度下降。由于向MLC产品的演变，NAND闪存的成本将在此基础上再下降15%，即以48%的幅度下降，这是最可能出现的情况。然而由于竞争加剧，NAND闪存的成本可能再下降10%，因此，最悲观的估计是，NAND闪存的成本每年将下降60%。业者因此预计进入2006年，半导体产业成长趋缓，NAND闪存供过于求的状况更是雪上加霜。
    
    
    

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