NAND Flash合约价全面上扬
（华强电子世界网讯）4G低价位大涨12.68%
由于大厂三星（Samsung）强势拉抬价格，NAND Flash（资料储存型闪存）5月合约价普遍走扬，涨幅介于3~12%不等，模块厂乐观指出，反弹时间终于到了。DRAMeXchange指出，由于大型系统厂大举吃货，带动现货价开始走扬。
2G产品涨约3%
根据DRAMeXchange报价，5月合约价普遍上扬，其中以4G涨幅最大，低价位报价大涨12.68%；至于2G因为前次涨幅较大，本次报价持平。16G价格在34~39美元，均价36.8美元；8G在16~20美元，均价18.11美元；4G在8~10美元，均价9.1美元；2G在5~6美元间，均价5.53美元。 DRAMeXchange指出，整体而言，以2G产品的供货数量较为吃紧，但终端需求有限，所以价格仅呈微幅上扬，上周二2G的NAND Flash平均价格是5.29美元，至本周一价格上涨约为3%左右，至5.45美元，在NAND Flash各规格产品中算是涨幅最大的产品。 而美商苹果计算机近期包下三星2G产品的大部分产能，致使目前NAND Flash现货市场的2G货源短缺，因而价格也跟着持续喊涨。此外，由于多数4G、8G和16G的产品是2G的堆栈芯片，因为受2G货源短缺的影响，连带价格也跟着调涨。
市调机构iSuppli发表研究报告指出，今年第1季全球NAND Flash销售额季减8%至32亿美元，表现优于该机构先前预期的季减12%。iSuppli指出，第1季价格季减幅度仅达22.5%，远低于先前预期的28%。
照相手机商机大
另外，Semico Research分析师Jim Handy发表研究报告指出，2008年记忆卡销售额可望由2003年的80亿美元攀升至超过270亿美元。Handy指出，在音乐、照相手机需求大幅攀高的情况下，数字相机已不再是快闪记忆卡的主要应用产品，预期照相手机、内建记忆卡的摄影机将是未来的商机所在。
由于大厂三星（Samsung）强势拉抬价格，NAND Flash（资料储存型闪存）5月合约价普遍走扬，涨幅介于3~12%不等，模块厂乐观指出，反弹时间终于到了。DRAMeXchange指出，由于大型系统厂大举吃货，带动现货价开始走扬。
2G产品涨约3%
根据DRAMeXchange报价，5月合约价普遍上扬，其中以4G涨幅最大，低价位报价大涨12.68%；至于2G因为前次涨幅较大，本次报价持平。16G价格在34~39美元，均价36.8美元；8G在16~20美元，均价18.11美元；4G在8~10美元，均价9.1美元；2G在5~6美元间，均价5.53美元。 DRAMeXchange指出，整体而言，以2G产品的供货数量较为吃紧，但终端需求有限，所以价格仅呈微幅上扬，上周二2G的NAND Flash平均价格是5.29美元，至本周一价格上涨约为3%左右，至5.45美元，在NAND Flash各规格产品中算是涨幅最大的产品。 而美商苹果计算机近期包下三星2G产品的大部分产能，致使目前NAND Flash现货市场的2G货源短缺，因而价格也跟着持续喊涨。此外，由于多数4G、8G和16G的产品是2G的堆栈芯片，因为受2G货源短缺的影响，连带价格也跟着调涨。
市调机构iSuppli发表研究报告指出，今年第1季全球NAND Flash销售额季减8%至32亿美元，表现优于该机构先前预期的季减12%。iSuppli指出，第1季价格季减幅度仅达22.5%，远低于先前预期的28%。
照相手机商机大
另外，Semico Research分析师Jim Handy发表研究报告指出，2008年记忆卡销售额可望由2003年的80亿美元攀升至超过270亿美元。Handy指出，在音乐、照相手机需求大幅攀高的情况下，数字相机已不再是快闪记忆卡的主要应用产品，预期照相手机、内建记忆卡的摄影机将是未来的商机所在。
（编辑 吴欣）
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邮箱：xieping@hqew.com
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