NAND Flash下月缺货5~10%
NAND Flash（储存型闪存）谷底翻扬，劲永（6145）总经理吕美月看好认为4月供给缺口达5~10%，供不应求状况可望延续至第4季末；DRAM价格最快4月底见底，512M DDR2颗粒价格约3~3.5美元。
劲永：今年不会过剩
吕美月表示，目前NAND Flash价格跌破晶圆厂成本价位，厂商不愿赔钱卖，有2~3成产能转到DRAM，近期需求明显回温，3月供应量尚可达完全满足，但4月将出现供给缺口。预估晶圆厂提升高容量出货，使市场颗粒供应量并未增加，只要下半年晶圆厂扩充幅度不失控，今年到年底旺季结束前，都不至于再供过于求。
吕美月表示，3月业绩应可超过1月21亿元水平，达到本季最高峰，由于市场比当初预期要好，公司将努力维持不亏损。至于今年业绩展望，劲永内部业绩成长目标20~25%，其中将以中国及南美洲市场成长潜力较大，中国市场可有10~20%成长，美洲市场有15~20%成长。
产能扩充方面，记忆卡比重提高，COB(Chip on Board，芯片基板黏合)制程将外包给封测厂，主要交给华泰(2329)与日月光(2311)，因此自有产能扩充不会太大；劲永在苏州及台湾厂各有5条SMT(表面黏着)生产线，预计今年苏州厂再增1条SMT。
劲永：今年不会过剩
吕美月表示，目前NAND Flash价格跌破晶圆厂成本价位，厂商不愿赔钱卖，有2~3成产能转到DRAM，近期需求明显回温，3月供应量尚可达完全满足，但4月将出现供给缺口。预估晶圆厂提升高容量出货，使市场颗粒供应量并未增加，只要下半年晶圆厂扩充幅度不失控，今年到年底旺季结束前，都不至于再供过于求。
吕美月表示，3月业绩应可超过1月21亿元水平，达到本季最高峰，由于市场比当初预期要好，公司将努力维持不亏损。至于今年业绩展望，劲永内部业绩成长目标20~25%，其中将以中国及南美洲市场成长潜力较大，中国市场可有10~20%成长，美洲市场有15~20%成长。
产能扩充方面，记忆卡比重提高，COB(Chip on Board，芯片基板黏合)制程将外包给封测厂，主要交给华泰(2329)与日月光(2311)，因此自有产能扩充不会太大；劲永在苏州及台湾厂各有5条SMT(表面黏着)生产线，预计今年苏州厂再增1条SMT。