两大产品群NAND闪存供求变化冲击DRAM市场
(华强电子世界网讯) 在半导体产品中，存储器和CPU已成为最大的两个产品群，二者相加在半导体总销售额中占据的比例可达40%以上，因此，二者已成为全球半导体工业名副其实的方向标。而在两者中，存储器业的地位尤为突出。过去依靠CPU推动工业的时代已经过去，未来存储器将成为移动消费类电子产品的关键。据市场调研机构预测，在消费类电子产品中，存储器的需求量将超过预期，到2007年仅仅手机中需要的存储器容量，就能与目前台式计算机中使用的存储器一样多。
全球存储器业在2004年经过大幅增长后，预计要经过两年的调整，到2007年才能再有两位数的增长。尽管业界对此看法并不一致，但是从2005年全球存储器业的态势看，已经部分验证了该说法。
为什么存储器业会如此波动振荡，业界有比较一致的观点：2004年DRAM业的投资扩产过快，而且先进工艺交替加速，在此后的两年中这些产能将逐渐释放出来，导致产品供过于求，并使DRAM的平均价格迅速下降。投资银行Princeton Tech Re-search的分析师Paul Leming认为，在这个新时代，DRAM厂商由于市场竞争激烈，总是最早采用半导体制造工艺中最微细的线宽及最大的硅片尺寸，来积极扩大产能，目的是将每bit(位)存储器的成本降下来。
从发展趋势看，与1996年到2002年期间相比，现在以Mb衡量的存储器的平均密度，其增长速度已经下降，由过去每年的55%降至现在的10%以下。同样，在过去的7年中，DRAM价格每年平均跌幅达45%，而今后每年价格下降速度可能减慢至25%左右。
苹果电脑iPod的成功在全球引起振荡，闪存销售猛增对全球DRAM业产生影响。
苹果电脑在9月推出了新款iPod nano产品线，采用NAND闪存，而没有继续使用该公司现有iPod mini系列的微型硬盘。iPod nano产品线包括2Gb NAND闪存产品和4Gb NAND闪存的产品。iSuppli公司认为，苹果电脑订购了三星电子今年NAND产量的40%，以满足iPod nano对NAND的需求。
在苹果电脑推出新产品之后，三星电子近日又发布了16Gb的多层单元NAND闪存器件。该器件采用50纳米工艺制造，并将于2006年投入批量生产。随着该器件的发布，NAND闪存密度从现在起有望每年增加一倍。
iSuppli公司认为，NAND闪存密度不断增长，在产品中的应用不断增多，意味着在未来几年内，市场对NAND闪存的需求将迅猛增长。这种NAND闪存的供需形势，促使人们思考它会对DRAM市场造成什么影响。三星电子和Hynix半导体能根据产品的收益率，调整DRAM和NAND之间的产能分配，因此，从这点出发，NAND供求形势的变化可能对未来DRAM市场产生巨大的冲击。
但是，由于目前DRAM处于供应过剩状态，产量仍然迅速增长，苹果电脑的iPod nano对于NAND闪存的额外需求，不太可能在近期内影响到DRAM的价格走势和DRAM库存过剩的状态。多数一流DRAM供应商的DDR2 SDRAM库存有超过五周的供应量，而市场对于DDR2的需求弱于预期，远远低于生产水平，导致库存不断增多，因此，DRAM产量的任何下降，都不太可能在短期内影响供求关系。与此同时，2005年按字节计算的DRAM产量增长速度，大大高于iSuppli以前的预测。2005年按字节计算的DRAM出货量年增长率将达55.7%，高于iSuppli以前预测的52.7%。这预示着DRAM供应商即便向其他产品领域发展，也不会导致DRAM字节出货量的下降。
iSuppli公司认为，不销售NAND闪存，或者对NAND闪存参与程度有限的那些DRAM供应商，如Elpida、南亚科技、英飞凌和Inotera，今年DRAM字节产量增长率更要高于产业平均水平。
苹果电脑和三星电子之间的闪存协议，虽然短期内不会影响到DRAM的价格走势和供应情况，但可能产生一些长远的影响。NAND闪存产量的增长可能会减少DRAM供应，在比较遥远的将来，这可能刺激DRAM价格的上涨。
目前，闪存产品与40Gb及以上的硬盘比较，其每个字节的成本还是比较高的，这表明，闪存不足以取代微型硬盘。同样微型硬盘也在进步，如三洋公司最新推出0.85英寸的微硬盘，其尺寸与闪存卡一致。
另一种趋势是采用混合硬盘方式，即将一个NAND闪存芯片和传统的硬盘组合在一起。这样的组合既可以减少硬盘的工作负荷，降低功耗并提高可靠性，同时又大大提高硬盘的操作速度，相信此种模式将首先在手机中推广。
业界正在开发存储器的其他创新技术，可能会最终取代目前的三种内存芯片：低价动态RAM(DRAM)，主要用于PC和服务器；快速静态RAM(SRAM)，用于处理器缓存和移动产品；NOR闪存，用于电脑和手机。IBM公司、英特尔和其他公司的研究人员称，未来一种通用的芯片技术将可能会取代上述三种芯片。IBM公司负责非易失闪存业务的高级主管认为，这将是芯片业的圣杯。但是，有业内人士表示，上述通用内存技术的开发仍需要10年到15年的时间，但是也有人指出，通用内存技术是不可能的。Semico Research公司副总裁Bob Merritt称："绝大多数的技术不可能同时与低价的DRAM或是快速的SRAM进行竞争。"
今后更新的非易失性存储技术可能会诞生，但是从位密度及成本比较，至少在2008年之前，现行技术还没有其他技术可以替代。
在存储技术中，FRAM和MRAM新型技术得到业内广泛支持，也是最有可能取得新突破的技术。FRAM是一种非易失性RAM，它由Ramtron国际公司开发，并得到了TI和其他公司的授权。Ramtron公司称，目前已生产出了3000万个使用FRAM技术的内存条产品，其中包括无线频率认别和智能卡产品。FRAM基于量子技术，功耗低，读写速度快，性能优于DRAM或是闪存，但其价格按每字节衡量，仍高于DRAM产品20倍到50倍，而芯片的密度也很低。Ramtron公司主要生产1Mb产品，2006年计划推出4Mb或是8Mb芯片。
而MRAM存储产品已准备投放市场。与其他产品相比，MRAM更容易实现生产。IBM和Freescale半导体公司是MRAM技术的先驱。有人把这种技术称为磁性存储芯片技术，因为它在磁盘驱动器和硅片中都使用了磁极技术。
全球存储器业是一个需要巨额投资的产业。预计从2004年到2006年的三年间，全球新增12英寸生产线37条，其中用于DRAM生产的为21条，占57%。
根据每条生产线的投资状况就可以准确判断未来生产能力的上限。同时，如果生产线不能保持足够高的产能利用率，巨额投资可能连本都很难收回来，这就决定了该条生产线产能利用率的下限。而这一上限及下限，也是造成过去DRAM价格波动的原因之一。
令人记忆犹新的是DRAM在2000年到2001年期间的价格波动。由于个人电脑泡沫的破灭，需求急剧下降，加上当时恰逢产业从64Mb产品向128Mb产品过渡，导致2001年全球DRAM生产额比上年减少62%，跌至108.1亿美元。与此同时，2001年全球DRAM产能反而比2000年增加42%，达到350Pb(P=peta，10的15次方)。算下来仅仅一年的时间，存储器每字节单价就暴跌到原来的1/3.7。
再如，2005年第二季度，全球以兆字节计算的DRAM出货量比第一季度增加了15%，但由于平均销售价格(ASP)下跌25%，抵消了出货量增长对销售额的正面影响。2005年6月29日，三星电子一位高层曾表示，内存的价格自今年年初开始已经下跌超过了40%，预计内存价格下跌可能将延续到2006年下半年。而排在全球第二的美光公司，这一次也被价格战整垮，美光公布的2005年3月到5月的财报显示，该公司净亏损达1.279亿美元，相较于前三个月(2004年12月～2005年2月)1.179亿美元的净利，可以说是天壤之别。美光高层将亏损原因指向全球DRAM产能过剩与削价竞争，认为巨额亏损由价格战导致，因为客户面需求稳定，但单季均价跌幅超过30%，光是稳定的需求仍不敌价格战后的大失血。瑞士信贷(CSFB)分析师Michael Masdea认为，这正是2004年产业复苏，业界大举扩充产能后的结果。
2005年第二季度全球前五大内存厂商三星电子(Samsung)、海力士(Hynix)、美光(Micron)、英飞凌(Infineon)与尔必达(Elpida)的财报显示，内存厂商的营运状况呈现两极分化趋势，除三星电子及海力士两家盈利外，其余三家均亏损。
三星电子部门营运净利润达10亿美元，海力士净利润为2.33亿美元，美光净亏损为1.28亿美元，英飞凌净亏损为2.88亿美元，至于日本唯一内存厂家尔必达则是小赔，净亏损为2934万美元。美光、英飞凌及尔必达出现亏损的原因，主要是DRAM价格跌幅过大及自身产品太单一。
路透社(Reuters)引述投资机构BNP Paribas Peregrine分析师Chang Eyun-Yu的观点认为，与美光、英飞凌惨不忍睹的亏损情况相比较，三星与海力士两家内存企业能持续实现获利的关键，在于后两者能够及早采用多元化产品组合策略，重新配置产能。当标准型DRAM价格下跌时，他们尽早投资改造生产线，以最少的投资，切入高度获利的NAND型Flash生产领域，因此，在全球存储器业中，2004年三星电子占DRAM存储器30%及NAND闪存60%份额的龙头地位，在近期内很难被动摇，这也印证了在存储器业中大者恒大的规律。另据美光总裁史蒂夫近日的预言，全球五大DRAM厂在未来两年内，将有1家到2家出局。
增长率为单位数全球存储器市场增长放缓
全球存储器业在2004年经过大幅增长后，预计要经过两年的调整，到2007年才能再有两位数的增长。尽管业界对此看法并不一致，但是从2005年全球存储器业的态势看，已经部分验证了该说法。
为什么存储器业会如此波动振荡，业界有比较一致的观点：2004年DRAM业的投资扩产过快，而且先进工艺交替加速，在此后的两年中这些产能将逐渐释放出来，导致产品供过于求，并使DRAM的平均价格迅速下降。投资银行Princeton Tech Re-search的分析师Paul Leming认为，在这个新时代，DRAM厂商由于市场竞争激烈，总是最早采用半导体制造工艺中最微细的线宽及最大的硅片尺寸，来积极扩大产能，目的是将每bit(位)存储器的成本降下来。
从发展趋势看，与1996年到2002年期间相比，现在以Mb衡量的存储器的平均密度，其增长速度已经下降，由过去每年的55%降至现在的10%以下。同样，在过去的7年中，DRAM价格每年平均跌幅达45%，而今后每年价格下降速度可能减慢至25%左右。
NAND闪存需求突显尚未对DRAM业产生影响
苹果电脑iPod的成功在全球引起振荡，闪存销售猛增对全球DRAM业产生影响。
苹果电脑在9月推出了新款iPod nano产品线，采用NAND闪存，而没有继续使用该公司现有iPod mini系列的微型硬盘。iPod nano产品线包括2Gb NAND闪存产品和4Gb NAND闪存的产品。iSuppli公司认为，苹果电脑订购了三星电子今年NAND产量的40%，以满足iPod nano对NAND的需求。
在苹果电脑推出新产品之后，三星电子近日又发布了16Gb的多层单元NAND闪存器件。该器件采用50纳米工艺制造，并将于2006年投入批量生产。随着该器件的发布，NAND闪存密度从现在起有望每年增加一倍。
iSuppli公司认为，NAND闪存密度不断增长，在产品中的应用不断增多，意味着在未来几年内，市场对NAND闪存的需求将迅猛增长。这种NAND闪存的供需形势，促使人们思考它会对DRAM市场造成什么影响。三星电子和Hynix半导体能根据产品的收益率，调整DRAM和NAND之间的产能分配，因此，从这点出发，NAND供求形势的变化可能对未来DRAM市场产生巨大的冲击。
但是，由于目前DRAM处于供应过剩状态，产量仍然迅速增长，苹果电脑的iPod nano对于NAND闪存的额外需求，不太可能在近期内影响到DRAM的价格走势和DRAM库存过剩的状态。多数一流DRAM供应商的DDR2 SDRAM库存有超过五周的供应量，而市场对于DDR2的需求弱于预期，远远低于生产水平，导致库存不断增多，因此，DRAM产量的任何下降，都不太可能在短期内影响供求关系。与此同时，2005年按字节计算的DRAM产量增长速度，大大高于iSuppli以前的预测。2005年按字节计算的DRAM出货量年增长率将达55.7%，高于iSuppli以前预测的52.7%。这预示着DRAM供应商即便向其他产品领域发展，也不会导致DRAM字节出货量的下降。
iSuppli公司认为，不销售NAND闪存，或者对NAND闪存参与程度有限的那些DRAM供应商，如Elpida、南亚科技、英飞凌和Inotera，今年DRAM字节产量增长率更要高于产业平均水平。
苹果电脑和三星电子之间的闪存协议，虽然短期内不会影响到DRAM的价格走势和供应情况，但可能产生一些长远的影响。NAND闪存产量的增长可能会减少DRAM供应，在比较遥远的将来，这可能刺激DRAM价格的上涨。
目前，闪存产品与40Gb及以上的硬盘比较，其每个字节的成本还是比较高的，这表明，闪存不足以取代微型硬盘。同样微型硬盘也在进步，如三洋公司最新推出0.85英寸的微硬盘，其尺寸与闪存卡一致。
另一种趋势是采用混合硬盘方式，即将一个NAND闪存芯片和传统的硬盘组合在一起。这样的组合既可以减少硬盘的工作负荷，降低功耗并提高可靠性，同时又大大提高硬盘的操作速度，相信此种模式将首先在手机中推广。
通用内存技术在开发中FRAM和MRAM最先取得突破
业界正在开发存储器的其他创新技术，可能会最终取代目前的三种内存芯片：低价动态RAM(DRAM)，主要用于PC和服务器；快速静态RAM(SRAM)，用于处理器缓存和移动产品；NOR闪存，用于电脑和手机。IBM公司、英特尔和其他公司的研究人员称，未来一种通用的芯片技术将可能会取代上述三种芯片。IBM公司负责非易失闪存业务的高级主管认为，这将是芯片业的圣杯。但是，有业内人士表示，上述通用内存技术的开发仍需要10年到15年的时间，但是也有人指出，通用内存技术是不可能的。Semico Research公司副总裁Bob Merritt称："绝大多数的技术不可能同时与低价的DRAM或是快速的SRAM进行竞争。"
今后更新的非易失性存储技术可能会诞生，但是从位密度及成本比较，至少在2008年之前，现行技术还没有其他技术可以替代。
在存储技术中，FRAM和MRAM新型技术得到业内广泛支持，也是最有可能取得新突破的技术。FRAM是一种非易失性RAM，它由Ramtron国际公司开发，并得到了TI和其他公司的授权。Ramtron公司称，目前已生产出了3000万个使用FRAM技术的内存条产品，其中包括无线频率认别和智能卡产品。FRAM基于量子技术，功耗低，读写速度快，性能优于DRAM或是闪存，但其价格按每字节衡量，仍高于DRAM产品20倍到50倍，而芯片的密度也很低。Ramtron公司主要生产1Mb产品，2006年计划推出4Mb或是8Mb芯片。
而MRAM存储产品已准备投放市场。与其他产品相比，MRAM更容易实现生产。IBM和Freescale半导体公司是MRAM技术的先驱。有人把这种技术称为磁性存储芯片技术，因为它在磁盘驱动器和硅片中都使用了磁极技术。
专家观点DRAM价格波动激烈大者恒大趋势明显
全球存储器业是一个需要巨额投资的产业。预计从2004年到2006年的三年间，全球新增12英寸生产线37条，其中用于DRAM生产的为21条，占57%。
根据每条生产线的投资状况就可以准确判断未来生产能力的上限。同时，如果生产线不能保持足够高的产能利用率，巨额投资可能连本都很难收回来，这就决定了该条生产线产能利用率的下限。而这一上限及下限，也是造成过去DRAM价格波动的原因之一。
令人记忆犹新的是DRAM在2000年到2001年期间的价格波动。由于个人电脑泡沫的破灭，需求急剧下降，加上当时恰逢产业从64Mb产品向128Mb产品过渡，导致2001年全球DRAM生产额比上年减少62%，跌至108.1亿美元。与此同时，2001年全球DRAM产能反而比2000年增加42%，达到350Pb(P=peta，10的15次方)。算下来仅仅一年的时间，存储器每字节单价就暴跌到原来的1/3.7。
再如，2005年第二季度，全球以兆字节计算的DRAM出货量比第一季度增加了15%，但由于平均销售价格(ASP)下跌25%，抵消了出货量增长对销售额的正面影响。2005年6月29日，三星电子一位高层曾表示，内存的价格自今年年初开始已经下跌超过了40%，预计内存价格下跌可能将延续到2006年下半年。而排在全球第二的美光公司，这一次也被价格战整垮，美光公布的2005年3月到5月的财报显示，该公司净亏损达1.279亿美元，相较于前三个月(2004年12月～2005年2月)1.179亿美元的净利，可以说是天壤之别。美光高层将亏损原因指向全球DRAM产能过剩与削价竞争，认为巨额亏损由价格战导致，因为客户面需求稳定，但单季均价跌幅超过30%，光是稳定的需求仍不敌价格战后的大失血。瑞士信贷(CSFB)分析师Michael Masdea认为，这正是2004年产业复苏，业界大举扩充产能后的结果。
2005年第二季度全球前五大内存厂商三星电子(Samsung)、海力士(Hynix)、美光(Micron)、英飞凌(Infineon)与尔必达(Elpida)的财报显示，内存厂商的营运状况呈现两极分化趋势，除三星电子及海力士两家盈利外，其余三家均亏损。
三星电子部门营运净利润达10亿美元，海力士净利润为2.33亿美元，美光净亏损为1.28亿美元，英飞凌净亏损为2.88亿美元，至于日本唯一内存厂家尔必达则是小赔，净亏损为2934万美元。美光、英飞凌及尔必达出现亏损的原因，主要是DRAM价格跌幅过大及自身产品太单一。
路透社(Reuters)引述投资机构BNP Paribas Peregrine分析师Chang Eyun-Yu的观点认为，与美光、英飞凌惨不忍睹的亏损情况相比较，三星与海力士两家内存企业能持续实现获利的关键，在于后两者能够及早采用多元化产品组合策略，重新配置产能。当标准型DRAM价格下跌时，他们尽早投资改造生产线，以最少的投资，切入高度获利的NAND型Flash生产领域，因此，在全球存储器业中，2004年三星电子占DRAM存储器30%及NAND闪存60%份额的龙头地位，在近期内很难被动摇，这也印证了在存储器业中大者恒大的规律。另据美光总裁史蒂夫近日的预言，全球五大DRAM厂在未来两年内，将有1家到2家出局。
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(编辑 甘心)