存储行情一周谈——1月10日～17日

     （华强电子世界网讯） DDR2价格荣景可望维持到第一季;供过于求的情况使NAND Flash的现货价格下跌
    
     DXI指数持续缓步上涨，指数由上周的2,900上涨至2,925。主要还是在反映DDR2供给吃紧的问题。现货市场方面，由于传言Mira的UTT将在现货市场放货，使得买家对于DDR部分多呈现观望态度，DDR 256Mb (32Mx8) 400MHz 的平均价格维持在USD 2.34。而DDR2在三星无法充份供应下，客户对于DDR2的需求相对强劲，平均价格上涨5%幅度，价格从USD$ 4.4上扬至$4.64。
    
     合约市场部分，由于现货价格的带动使得DRAM厂也希望再上调合约市场价格， DRAM 制造商企图在一月下旬哄抬DDR2的合约价使其趋近DDR1 相同密度的颗粒价格。 事实上，由于DDR2 512Mb 的现货价格下跌的十分迅速，自2005年四月中开始，就已出现DDR2 512Mb 现货价低于合约价的情况。而自2005年十月中至十二月底，DDR2的现货价则是与合约价十分的接近。从2006年初开始，DDR2 512Mb 现货市场上的交易价格已高于合约市场上的价格。( 图1 )
    
    
     供给面方面，三星在前几日所公布的2005年第四季财报中明确指出去年第四季DRAM 产出仅成长5%(QoQ)，而NAND FLASH增加44%(QoQ)。2006年第一季预期DRAM产出将在减少3%(QoQ)，FLASH产出增加17%(QoQ)。显见三星在产能上调整至NAND FLASH的比重提高不少，造就整体DRAM产能供给不足的现像，甚至想办法在8吋厂提高0.1/0.11um制程的比重。但是随着90nm比重的提高，预期第二季产出水平即可赶上客户的需求。
    
     在需求面部分，集邦科技预估2006年上半年整体PC出货量因淡季因素下滑约8.2 %，淡旺季影响已不若往年明显，主要原因来自于新兴市场的需求支撑起上半年PC市场的淡季现象。而现阶段新兴市场PC的价格集中在USD 250左右且主流规格多为DDR平台，因此Intel在芯片组供货策略上宣示仍延续865系列的出货来固守低阶市场的市占率。而在DDR2产出缺货的同时，大部分DRAM厂仍加紧DDR2的供给速度，也为第二季DDR2是否供需失衡投下变量。DRAM从投产到产出也需要两个月左右的生产流程，究竟DDR2产出比例要如何拿捏，将考验着DRAM业者的智慧了。
    
     近一周的NAND Flash现货市场，不管是高容量或是低容量都是呈现不同程度下滑状态，这是因为上星期有部分韩国通路商将三星电子（Samsung）以及海力士（Hynix）拿到市场上来抛售，虽然仍有业者对其感兴趣而进行询价，不过这也只限于少数下游买家，而非整体需求上扬所致，再加上下游买家认为现货还有下跌空间，因此不愿意在此时购入。所以即使韩国通路商努力要将这些现货价格维持在一定水平，不过价格持续往下跌的趋势短期内还是难以改变。
    
     另一个造成价格下滑的原因是这一次苹果计算机（Apple）在1/9~1/16在旧金山所举行的Macworld并没有如传闻般推出内建NAND Flash的笔记型计算机，这也让原本盼望藉由这项内建NAND Flash的笔记型计算机传闻成真时，所带动的价格上扬，将手头上有库存的高价出售的业者，为了避免持续下跌所造成的损失，也纷纷在此时放出自己手头上的库存，因此连带地价格也就难以有好表现。
    
     高容量16Gb的颗粒，价格仍旧下跌了近5个百分点且在1/17当日以接近US$73.26的价格收盘。4Gb 及1Gb的价格下跌幅度趋缓, 分别为3.11%及1.3%。但是, 2Gb 则是从原本上涨的走势转为下跌，下跌幅度约为3.92%，以US$14.2收盘。8Gb则是持续下跌了4.76%，以US$36.58收盘。