华胄FM20L08获首届中国电子设计技术创新奖

华胄FM20L08获首届中国电子设计技术创新奖

     （华强电子世界网讯） EDN年度创新奖由EDN创立于美国的Silicon Valley ，迄今为止已经有14年的历史，并已经成为美国微电子领域重要的标志性奖项之一。针对迅速发展的中国微电子工业，EDN China 协同EDN全球团队，并携手中国本土电子行业同行，在2005年下半年正式将这一著名奖项引入中国。
    
     历经4个月的报名、筛选和工程师的踊跃投票，EDN China首届年度创新奖已于近日揭晓。共有来自43家国内外知名IC厂商的119款产品参与了8类奖项角逐。 通过此次评选活动，一批优秀产品在激烈的竞争中脱颖而出，展现了这些产品与生产厂商的实力。
    
     在这次评选中，美国Ramtron公司推出的FM20L08 一兆位铁电存储器在数字IC与可编程件类别中荣获了创新奖。