三星高速GDDR 4显卡芯片下线 采用2项新技术

三星高速GDDR 4显卡芯片下线 采用2项新技术

     (华强电子世界网讯) 韩国半导体设备制造巨头三星电子公司日前表示，三星目前已经开始向显卡厂商提供配有更强制冷设备和更快存储器的GDDR4存储芯片的样品。
    
    　　作为256Mb的GDDR 4存储芯片，其传输数据的速率达到了2.5Gbps，大大提高了当前显卡市场上的存储芯片1.6Gbps的传输速率水平。三星电子公司表示，到今年年底，三星公司将向显卡厂商提供的存储芯片的传输速率将达到2.8Gbps。
    
    　　三星电子称，目前的GDDR 4存储芯片采用了两项最新技术，一项被称为“数据总线倒置”(Data Bus Inversion)技术，另一项被称为“Multi-Preamble”技术，三星没有对此两项技术做更多的细节说明。三星公司有足够的时间对这两项技术做阐述：因为目前三星公司暂没有大规模推出GDDR 4芯片的计划，直至等到2006年的第二季度，目的是为等待预测中“2006年下半年高端显卡市场将出现高速增长”时期的到来。