英飞凌05年底前两成DRAM采用90纳米制程

赛迪网 2005-06-21

     (华强电子世界网讯) 6月20日消息，根据Euro am Sonntag引述英飞凌董事Andreas cvon Zitzwitz报道，英飞凌预计年底前两成电脑内存芯片将转换成最具成本效益的90纳米制程，较预期时程提早。

     据港台媒体报道，英飞凌目前约有5%的动态随机存取内存DRAM采用90纳米制程。

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(编辑甘心)