英特尔称芯片电流泄漏技术获突破 07年商用

     (华强电子世界网讯) 北京时间9月20日消息，据国外媒体报道，英特尔今天宣称在解决芯片电流泄漏的问题上取得重大进展。随着芯片生产工艺的提升，电流泄漏已经成为制约芯片技术进一步发展的主要瓶颈，这一问题在手机芯片和其它便携设备芯片领域尤为突出。
    
    　　顾名思义，产生这一问题的主要根源是电流从芯片内部的微型晶体管泄漏。晶体管体积的缩小意味着能耗的降低，但由于晶体管之间的排列更加紧密，电流泄漏的可能性也大大增加。目前，电流泄漏已经成为缩短电池待机时间和芯片过热的根源。业内人士认为，如果这一问题不能得到有效解决，芯片生产工艺的提升速度将会减缓，从而推动整个电子产业发展的动力也就不复存在。
    
    　　电池待机时间对于笔记本电脑和手机等产品至关重要，因此它们对于芯片功耗有着特殊的要求。英特尔表示，该公司正在开发一种单独的生产工艺，专门用于笔记本电脑或手机芯片的生产，这种生产工艺可以将电流泄漏的比例降至原来的千分之一。据英特尔高管称，该公司已经开发出采用新生产工艺的原型芯片，但这一生产工艺要到2007年初才能投入商用。英特尔工艺架构和集成部门主管马克-波尔(Mark Bohr)表示：“在解决电流泄漏问题的过程中，我们已经取得了突破性进展。”
    
    　　除英特尔之外，其它公司也在试图解决电流泄漏的问题。德州仪器近日公布了一项名为“SmartFlex”的新技术，可以从一定程度上减少电流泄漏。分析人士预计，德州仪器、飞思卡尔以及其它芯片厂商将会仿效英特尔的一些技术。
    
    

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