DRAM报价大涨 演出逆转行情
在市场一片看淡内存行情走势之际，DRAM现货市场512Mb DDRII有效测试（eTT）颗粒昨（23）日演出「逆转行情」，单日大涨8.95%，创今年以来单日最大涨幅。有效颗粒报价率先急涨，透露止跌讯号，DRAM厂营运拨云见日可期，尤其在现货市场独霸的力晶（5346）受惠最深。
通路业者表示，过去每个月下旬都是DRAM价格比较弱的时间点，昨天有效测试颗粒价格大涨，并不寻常，分析是价格由谷底开始向上攀升的重要指针，若现货价格落底向上，对于合约价走势也有正面激励效果。
今年初以来DRAM价格一路狂跌，从6美元以上跌破2美元价位。力晶认为，先前市场需求确实比较疲弱，压抑价格走势，如今价格强烈反弹，有助降低营运压力，价格走势有机会如预期在本月底由谷底向上反弹。
力晶对于Vista所带来的DRAM需求仍相当乐观，也正积极进行降低成本工作，预期今年第四季70奈米制程比重将超过五成，1Gb芯片产量也将过半，在业界处于领先地位。
通路业者指出，DRAM价格在大跌后急拉，主要受国际大厂先前担心DRAM报价跌破变动成本，陆续将产能移转生产NAND Flash，推算时间，相关产能排挤效应将从下月起陆续发酵，市场担心DRAM需求随下半年旺季启动后货源供应问题，因此进货意愿转强，价格也随之反弹。力晶昨天股价收在当日最高价19.4元，上涨0.2元；另一在现货市场也相当活跃的茂德盘中急拉由黑翻红，收在13元，上涨0.1元。
根据集邦科技最新报价，512Mb DDRII现货颗粒报价全数劲扬，品牌颗粒涨幅都在2%以上，最高价格再度站稳2美元大关；有效测试颗粒更是上扬8.95%，均价为1.48美元。
通路业者表示，过去每个月下旬都是DRAM价格比较弱的时间点，昨天有效测试颗粒价格大涨，并不寻常，分析是价格由谷底开始向上攀升的重要指针，若现货价格落底向上，对于合约价走势也有正面激励效果。
今年初以来DRAM价格一路狂跌，从6美元以上跌破2美元价位。力晶认为，先前市场需求确实比较疲弱，压抑价格走势，如今价格强烈反弹，有助降低营运压力，价格走势有机会如预期在本月底由谷底向上反弹。
力晶对于Vista所带来的DRAM需求仍相当乐观，也正积极进行降低成本工作，预期今年第四季70奈米制程比重将超过五成，1Gb芯片产量也将过半，在业界处于领先地位。
通路业者指出，DRAM价格在大跌后急拉，主要受国际大厂先前担心DRAM报价跌破变动成本，陆续将产能移转生产NAND Flash，推算时间，相关产能排挤效应将从下月起陆续发酵，市场担心DRAM需求随下半年旺季启动后货源供应问题，因此进货意愿转强，价格也随之反弹。力晶昨天股价收在当日最高价19.4元，上涨0.2元；另一在现货市场也相当活跃的茂德盘中急拉由黑翻红，收在13元，上涨0.1元。
根据集邦科技最新报价，512Mb DDRII现货颗粒报价全数劲扬，品牌颗粒涨幅都在2%以上，最高价格再度站稳2美元大关；有效测试颗粒更是上扬8.95%，均价为1.48美元。